Эпитаксиальные слой

Cтраница 3

Для исследования была выбрана температурная область 500 - 650 С, так как, согласно литературным данным [4], выращенные именно в этом диапазоне эпитаксиальные слои CdxHg xTe имеют наиболее высокую степень совершенства кристаллической структуры. [31]

Применительно к элементарным полупроводникам метод жидкофазной эпитаксии не нашел широкого применения из-за отсутствия легкоплавких металлов-растворителей, способных растворять полупроводники в больших концентрациях и не загрязнять их эпитаксиальные слои. Единственные нейтральные в германии и кремнии металлы - олово и свинец - растворяют полупроводники в концентрациях менее 1 % ( ат. В этом отношении соединения A1IIBV и твердые растворы на их основе являются наиболее благоприятными объектами жидкофазной эпитаксии. [32]

В данной работе рассмотрены ограничения по минимальной температуре роста эпитаксиальных слоев кремния и предложены приемы очистки и сохранения чистоты поверхности кремниевых подложек, которые позволяют получать эпитаксиальные слои в хлоридной системе при температуре ниже 1000 С без стадии высокотемпературного роста. [33]

Процесс проводят в проточных металлич. Эпитаксиальные слои наращивают на ориентированные и прошедшие спец. [34]

Влияние ориентации подложки на структуру эпитаксиальных слоев AnBVI. Эпитаксиальные слои CdS и других полупроводников AIIBVI могут принять при осаждении на полупроводниковые элементы или соединения A111 Bv в зависимости от ориентации поверхности подложки и соответствующих условий опыта структуру сфалерита или вюрцита. [35]

Монокристаллические пленки сульфида цинка из диэтилцинка и сероводорода были получены при температуре 750 С, а теллурида цинка - из. Эпитаксиальные слои сульфида, селенида и теллурида кадмия с использованием диметилкадмия были получены на различных подложках при температуре 475, 600 и 500 С соответственно. Надо отметить, что температуру проведения процесса получения халькогеныдов цинка и кадмия следует рассматривать как ориентировочную, а не оптимальную, и требуются дальнейшие работы для совершенствования этого процесса. [36]

Эпитаксиальные слои германия [83] были получены термическим разложением тетраэтилгермания при 820 С. [37]

Следующая операция - окисление поверхности и травление окон для изолирующей диффузии, которая по завершении будет состоять из замкнутых участков / - типа, простирающихся от поверхности кремния через эпитаксиальный слой n - типа к подложке исходного материала р-типа. После этой операции эпитаксиальные слои - типа будут изолированы друг от друга областями р-типа: подложкой р-типа снизу и изоляционной р - об-ластью по сторонам. [38]

Дефекты эпитаксиальных слоев существенно влияют на электрофизические характеристики: удельное сопротивление, время жизни. При высокой концентрации дефектов эпитаксиальные слои имеют неоднородные свойства как по площади, так и по толщине. [39]

Скорость охлаждения системы до 750 С составляла 3 - 5 С / мин, далее резко падала. В результате были выращены эпитаксиальные слои толщиной от 40 до 70 мкм, легированные серой и в различной степени азотом. [40]

Метод [160] основан на электрохимическом растворении пленки в НС1 ( 1: 10) с последующим упариванием раствора и спектральным анализом остатка. В методе [211] снимают тонкие эпитаксиальные слои арсенида галлия травлением метанольным раствором брома; полученный раствор выпаривают с НС1, сухой остаток растворяют в 10 N НС1 и хроматографируют в колонке сфторопластовойнасадкой с применением - децилового спирта в качестве неподвижной фазы. Примеси элюируют, элюат выпаривают и помещают в нагретый полый катод. [41]

В результате реакции на поверхности пластины осаждается слой чистого кремния Si. При введении дополнительных примесей получают эпитаксиальные слои с заданным типом проводимости. Для получения проводимости - типа используют соединения фосфора, проводимость р-типа обеспечивают соединения бора. [42]

В результате реакции на поверхности пластины осаждается слой чистого кремния Si. При введении дополнительных примесей получают эпитаксиальные слои с заданным типом проводимости. Для получения проводимости и-типа используют соединения фосфора, проводимость р-типа обеспечивают соединения бора. [43]

После нарезки круглых пластин диаметром 60 - 100 мм и толщиной до 400 мкм производится их шлифовка и полировка. Как правило, на пластинах-заготовках наращиваются эпитаксиальные слои кремния ( до 10 - 15 мкм) с заданным типом проводимости при температуре 1200 3 С. [44]

Схема получения эпитаксиальных структур кремний на сапфире в технологии ИМС. [45]

Страницы: 1 2 3 4