Cтраница 2
Результаты различны для слабых и сильных полей, поскольку в случае слабого поля не нужно учитывать взаимодействие различных уровней, L, 5-взаимодействие не нарушено и квантовые числа L и 5 сохраняют свой смысл. [17]
![]() |
Расщепление d - орбит в октаэдрическом поле. [18] |
Результаты различны для слабых и сильных полей, поскольку в случае слабого поля не нужно учитывать взаимодействие различных уровней, L, S-взаимодействие не нарушено и квантовые числа L и S сохраняют свой смысл. [19]
Рассмотрим теперь поведение мультиплетного уровня во внешнем электрическом поле, начав со случая слабого поля, когда смещение уровней, вызванное им, мало по сравнению с естественным расщеплением мульти-плета. [20]
Итак, исходим ли мы из гамильтоновой формы теории тяготения или из условий, накладываемых на тензор Римана уравнениями Эйнштейна в случае слабого поля, мы заключаем, что для каждого направления распространения k ( которое определяется граничными условиями) существуют две степени свободы. [21]
![]() |
ЭСКП длв комплексов i. [22] |
Из данных табл. 11.6 ясно, что для if -, / 10-электронных конфигураций, а также для конфигурации d5 в случае слабого поля лигандов ЭСКП равно нулю. Поэтому для комплексов соответствующих центральных ионов ( см. табл. 11.6) характерны лишь октаэд-рическая и тетраэдрическая ( четыре лиганда) координации, ожидаемые на основании теории ОЭПВО. [23]
Второе и третье допущения обычно называются соответственно предельными случаями слабого и сильного поля; очевидно, что и первое допущение также относится к случаю очень слабого поля; именно последний случай наблюдается экспериментально у соединений лантанидов. [24]
Здесь оси х, у, z являются осями куба четвертого порядка, так что матричные элементы Vt определяют величину зееманов-ского взаимодействия в случае слабого поля g H С а, когда поле направлено вдоль одной из осей четвертого порядка. [25]
В этом случае восприимчивость среды определяется этим максимальным значением поляризуемости, а не средним ( хц 4 - 2xj) / 3, как в случае слабого поля. [26]
При А - - () теплоемкость должна вести себя по закону f - a, а параметр порядка - по закону т 5сАс / эА / - 7 ( отвечающим случаю слабого поля); легко убедиться, что получающиеся отсюда соотношения тоже эквивалентны уже известным. [27]
При / г - ) 0 теплоемкость должна вести себя по закону t - a, a параметр порядка - по закону г / х / г со / it - 7 ( отвечающим случаю слабого поля); легко убедиться, что получающиеся отсюда соотношения тоже эквивалентны уже известным. [28]
ЯеЯКр, магнитная проницаемость увеличивается от центра к поверхности. Этот случай слабого поля не характерен для индукционного нагрева, кроме того, его анализ в общем виде затруднен из-за большого разброса зависимости ц - / ( Я) на начальном участке не только от одной марки стали к другой, но и от партии к партии. [29]
В зависимости от природы лигандов расположение электронов на орбиталях может изменяться. В случае слабого поля лиганда электроны заполняют как верхний rfv, так и нижний de уровень, на указанных уровнях находятся при этом непарные электроны. Такие комплексы относятся к высокоспиновым. В сильном поле лиганда электроны заполняют попарно более низкие орбитали и только затем начинается заполнение dv - уровней. В таких комплексах бывает не более одного непарного электрона, и их называют низкоспиновыми. В качестве примера на рис. 1.7 - 76 приведено распределение электронов для двух комплексов двухзарядного иона железа. Характер распределения энергии оказывает влияние на свойства комплекса. По значениям А все лиганды могут быть расположены в ряды: спектрохимический, гипсо-хромный и нефелоксетический. В том же ряду приведены средние значения lg i для комплексов этих лигандов с ионами некоторых металлов. [30]