Cтраница 4
Ниже приведено распределение электронов по квантовым ячейкам в некоторых октаэдрических комплексах в слабом и сильном полях. В тех случаях, когда число электронов в ионе комплексо-образователя больше, чем число орбиталей с низкой энергие имеют место различия. Эте связано с тем, что в случае слабого поля РД и электроны в квантовых ячейках распределяются в соответствии с правилом Гунда. Ион металла находится в состоянии с высоким спином. В случае сильного поля в пределах подуровня при распределении электронов соблюдается правило Гунда. [46]
![]() |
Влияние на уровни энергии октаэдрической системы растяжения связей с лигандами вдоль оси г. [47] |
Искажения октаэдра только что рассмотренного типа весьма часто наблюдаются в кристаллах. Из этой теоремы следует, например, ян-теллеровская нестабильность основных состояний октаэдрических комплексов слабого поля Eg - или T s - симметрии. Таким образом, следует ожидать, что в случае слабого поля как правильные октаэдры существуют только комплексы с конфигурациями d3, d5, da, основные состояния которых 4A2g, 6 / 4ig и 3A2g соответственно. [48]
Такую схему простейшим образом можно реализовать, отразив часть сильного луча навстречу самому себе, как это показано на рис. 4.1. Оба луча имеют одинаковую частоту и взаимодействуют с разными группами атомов, проекции скоростей которых на направление распространения излучения противоположны по знаку. Это схематически показано на рис. 4.2 для случая, когда частота поля отстроена от частоты перехода. За счет большой интенсивности провал на кривой, вызванный сильным полем, гораздо глубже, чем в случае слабого поля. Разрешение ограничено полевым уширением линии, но так как пробное поле слабое, удается прописать всю форму кривой насыщенного поглощения. [49]
Очевидно, что в этом случае для определения термов атома или иона в кристаллическом поле необходимо исходить из его состояний с учетом межэлектронного и спин-орбитального взаимодействий, 2S 1 /, которые для каждого терма с данными L и S характеризуются еще квантовыми числами / оператора полного момента количества движения, принимающего все значения от L S до L-S через единицу ( стр. При этом, поскольку S принимает и полуцелые значения, / также может быть полуцелым. Например, состояниями одного / - электрона ( L 3, 5 1 / 2) с учетом спин-орбитального взаимодействия будут 2Л /, и 2FT / t и в приближении обсуждаемого случая слабого поля расщепление каждого из них в кристаллическом поле лигандов может рассматриваться отдельно. [50]