Случай - слабое поле
Cтраница 3
 |
Диаграмма Оргела для комплексов rf2, d3, d1 и ds.| Диаграмма Оргела для комплексов d1, d4, d6 и d9. [31] |
Подобные аргументы справедливы также для d2 - и d8 -, d - 3 и d7 -, d4 - и - конфигураций. В случае слабого поля выполняется также еще одно правило дополнительности: dn и d5 - n имеют одинаковые расщепления, но с обращенным порядком состояний. В итоге в случае слабых полей лигандов требуются расчеты только для d1 - и - конфигураций. [32]
Подобным же образом, исходя из общих формул (2.4) и (2.5), могут быть получены формулы для угла гашения и величины двулучепреломления суспензии, движущейся в поле. В случае слабого поля для определения анизотропии следует воспользоваться выражениями (4.2.17) для моментов функции распределения. [33]
Теперь рассмотрим простой эффект Зеемана, наблюдаемый в сильном магнитном поле. В случае слабого поля мы классифицировали состояния точно так же, как и без поля, а в данном случае этого делать уже нельзя. [34]
Спин-орбитальная связь расщепляет 3F - и 3Атермы на несколько компонент, так как и тот и другой имеют ненулевые значения спинового и орбитального угловых моментов ( см. разд. Однако для случая слабого поля лигандов спин-орбитальная связь является слабым возмущением, которое следует рассматривать, если вообще делать это, только после учета поля лигандов. [35]
Спин-орбитальная связь расщепляет 3F - и 3Р - термы на несколько компонент, так как и тот и другой имеют ненулевые значения спинового и орбитального угловых моментов ( см. разд. Однако для случая слабого поля лигандов спин-орбитальная связь является слабым возмущением, которое следует рассматривать, если вообще делать это, только после учета поля лигандов. [36]
При относительно малых величинах расщеплений, возникающих в слабых полях лигандов ( левая часть спектрохимического ряда), тенденция к образованию термов с максимальной мультиплетно-стью оказывается преобладающей. Этот вариант отвечает случаю слабого поля лигандов, комплексы такого типа называются высокоспиновыми. [37]
Теперь мы в состоянии применить математические методы, описанные в предыдущих главах, к определению волновых функций и энергии низколежащих уровней парамагнитных ионов в кристаллическом поле. В этой главе мы рассмотрим случай слабого поля в приложении к 4 / - оболочке ионов редкоземельных элементов, оставляя изучение случая промежуточного поля в применении к 3 -оболочке ионов группы железа до гл. [38]
При учете анизотропного СТВ появляются сингулярности, определяемые главными значениями тензора СТВ. Спектр 1, б соответствует случаю слабого поля, 1, в - сильного поля. [39]
Оба спектра сходны и содержат две очень слабые полосы в интервале 300 - 500 ммк. Они, несомненно, относятся к случаю слабого поля, основное состояние в котором получено из состояния ES свободного иона. Однако все возбужденные состояния являются либо квартетами, либо дублетами, так что все переходы запрещены по мультиплетности. [40]
Отметим, что это взаимодействие не одинаково в разных ситуациях. Так, например, для конфигурации d2 в случае слабого поля, согласно табл. 1.4, энергия взаимодействия между электронами в основном состоянии ( терм 3F, состояние после расщепления 3Tig) дается выражением А - 8В, в то время как в случае сильного поля для основного состояния конфигурации ( tzK) 2 ( того же состояния sT g) она равна А - 5В [ см. формулы ( VIII. [41]
Задача, однако, радикально упрощается - в случае достаточно слабого поля - путем перехода к квазиимпульсному представлению. [42]
Рассмотрим теперь характер эффекта для уровня произвольного типа в случае слабого поля. Энергетический уровень атома всегда строго характеризуется квантовым числом результирующего момента количества движения J. Результирующий спин S является вектором типа, рассмотренного в разделе 9 гл. [43]
Таким образом, в случае сильных полей обнаружительная способность не зависит от магнитного поля. Кроме того, здесь желательна низкая подвижность электронов в противоположность случаю слабого поля. Однако низкие подвижности подразумевают необходимость использования очень высоких полей для выполнения условия сильного поля. [44]
Тогда задача должна решаться более точно с одновременным учетом как влияния поля лигандов, так и межэлектронного взаимодействия. Часто удобнее, однако, исходить из одного предельного случая ( особенно если соответствующий критерий выполняется неплохо) и ввести в него поправки на взаимодействие между термами разных исходных группировок [ разных атомных термов в случае слабого поля или разных электронных конфигураций типа ( tzg) 2, ( tzg) ( eg) и др. в случае сильного поля ], оказавшихся близкими. [45]
Страницы: 1 2 3 4