Прямое смещение - переход
Cтраница 1
 |
Образцы р-п-р-п структур для измерения скорости распространения включенного состояния методом островков. [1] |
Прямое смещение перехода / i на рассматриваемых участках в закрытом состоянии мало, но как только граница включенного состояния достигает этих участков, они переходят в открытое состояние. Напряжение на переходе / 4 при этом резко повышается. Естественно, что первым включается участок, ближе расположенный к начальной включенной области. [2]
При прямом смещении перехода возникает диффузионная емкость, которая равна С Э / Э [ / и является результатом перераспределения объемных зарядов при изменении приложенного напряжения. Это вызывает появление емкостной составляющей тока при импульсном или гармоническом сигнале. Величину этой емкости также приходится учитывать при больших поверхностях переходов, поскольку она растет почти пропорционально прямому току. [3]
 |
Смещение р-п перехода в прямом направлении. [4] |
При прямом смещении перехода электроны из - области благодаря диффузии непрерывно поступают в р-область, где они являются неосновными носителями. [5]
При прямом смещении перехода / 2 ( напряжение Ujz0) токи анода и катода определяются не зарядом баз тиристора, а напряжением питания и сопротивлениями внешней цепи. [7]
В результате прямого смещения перехода с понижением потенциального барьера ( жирная и штриховая линии на рис. 3.3 6) эмиттер инжектирует свои основные носители заряда - электроны - в базу. Одновременно из области базы ее основные носители заряда - дырки - перемещаются через переход в эмиттер. Обе эти составляющие ( электронная и дырочная) образуют ток эмиттера / э, аналогичный прямому току диода. Поскольку переход выполняется несимметричным ( ппр), т.е. концентрация электронов в эмиттере на несколько порядков превышает концентрацию дырок в базе, то удельный вес дырочной составляющей этого тока сравнительно мал. Попавшие в базу электроны становятся неосновными носителями заряда и перемещаются в ней главным образом за счет диффузии: от левого перехода с избыточной их концентрацией к правому переходу с недостаточной концентрацией. Электрическое поле в толще базы практически не оказывает влияния на движение электронов, поскольку их заряды частично скомпенсированы зарядами окружающих дырок. [8]
При комнатной температуре и прямом смещении перехода плотность / кремниевых диодов обычно очень мала по сравнению с J. [9]
Таким образом, при прямом смещении р-п перехода осуществляется инжекция неосновных носителей заряда и их концентрация экспоненциально возрастает с увеличением прямого напряжения. Выражения (1.97) и (1.98) называются граничными условиями для неосновных носителей заряда или условиями Шокли. [10]
Уэ и UK понимаются напряжения прямых смещений переходов. [11]
 |
Квазиуровни Ферми при прямом ( а и обратном ( б напряжениях на переходе ( считается ср. const. Пунктиром показан электростатический потенциал в равновесном состоянии. [12] |
Из этого соотношения следует, что прямое смещение перехода эквивалентно увеличению собственной концентрации в нем и, следовательно, сопровождается уменьшением удельного сопротивления обедненного слоя. [13]
При подключении эмиттерного напряжения U3 происходит прямое смещение перехода и в цепи появляется ток эмиттера / э, который в основном определяется током диффузии. [14]
При подключении эмиттерного напряжения Ua происходит прямое смещение перехода, и в цепи появляется ток эмиттера 1, который в основном определяется током диффузии. [15]
Страницы: 1 2 3 4