Прямое смещение - переход
Cтраница 2
 |
Распределение концентрации примесей ( а, плотности заряда ( б, напряженности поля ( в и потенциала ( г в плавном р-п переходе. [16] |
Из этого соотношения следует, что прямое смещение перехода эквивалентно увеличению собственной концентрации в нем и, следовательно, сопровождается уменьшением удельного сопротивления обедненного слоя. [17]
Величина напряжения U в формуле (4.30) положительна при прямом смещении перехода. Это соответствует приложению положительного внешнего напряжения к - области. [18]
Во-вторых, желательно иметь малый разброс характеристик при прямом смещении перехода. Поэтому были выбраны кремниевые импульсные диоды типа КД-901, которые выпускаются объединенными в матрицу 2НД - 021 что позволяет уменьшить габариты множительного устройства. [19]
При малых токах ( пока переход / з не работает в режиме лавинного пробоя) степень прямого смещения перехода / 4 невелика и он представляет собой значительное сопротивление. Поэтому дырочный ток, достигающий электрода 2, будет проходить параллельно переходу / 4, вследствие того что этот путь имеет меньшее сопротивление. [20]
Таким образом, транзистор с инжекционным питанием, включенный по схеме с общим эмиттером, при прямом смещении инжекторного перехода выполняет функцию инвертора. При включении транзистора в режиме прямого смещения эмиттерного перехода и нулевом смещении на инжекторном и коллекторном переходах транзистор работает в нормальном активном режиме. [21]
 |
Схема каскада инверторов инжекционных транзисторов.| Схема ИЛИ-НЕ на И2Л инверторах.| Схема организации проводного И на ИгЛ инверторах без дополнительного разветвления выходов. [22] |
Если эмиттер структуры заземлен и к инжектору подключен источник питания 1) к, ( рис. 7.43 6), обеспечивающий прямое смещение перехода pi-ni, то в эмиттерной области у инжекторного перехода появляется избыточная концентрация неосновных носителей - дырок, которая компенсируется избыточной концентрацией электронов. Часть дырок и электронов доходит до эмиттерного перехода и смещает последний в прямом направлении. Последующий переход в область равносилен их инжекции из эмиттера в базу. Выходное сопротивление насыщенного транзистора мало, и его можно рассматривать как замкнутый ключ. [23]
Помимо барьерной емкости переходу свойственна так называемая диффузионная емкость, вызванная инжекцией дырок в п-область ( или электронов в р-область) при прямом смещении перехода. Величина диффузионной емкости зависит от заряда носителей, накопленных в полупроводниковых слоях за пределами р-п-пере-хода за счет прямого тока. Диффузионная емкость пропорциональна току и практически всегда намного больше барьерной емкости при прямом смещении перехода. [24]
В работе fl ] приведен тепловой расчет переходных процессов в транзисторах, основанный на представлении о том, что при протекании прямого тока через эмиттер-ный переход в области пространственного заряда последнего выделяется мощность, равная произведению тока на величину прямого смещения перехода. Эти представления ошибочны, поскольку не учитываются термоэлектрические явления. [25]
 |
Распределение заряда в базе транзистора. [26] |
Как только в базе возникнет неравномерное распределение электронов и дырок, электроны начинают втягиваться в коллекторную область под действием обратного смещения коллекторного перехода, причем с гораздо более высокой интенсивностью, чем интенсивность ин-жекции дырок из базы в эмиттер в результате прямого смещения перехода база-эмиттер. Электроны, которые втягиваются в коллектор, уравновешиваются электронами, инжектируемыми в базу из эмиттера, в то время как дырки, инжектируемые из базы в эмиттер, возмещаются генерацией пар электрон-дырка в омическом невыпрямляющем контакте базы в результате действия внешнего напряжения. Большая плотность дырок в базе стремится вызвать ток в том же направлении, что и ток электронов к коллектору. Это происходит до тех пор, пока не возникнет электрическое поле, препятствующее дальнейшему движению дырок. [27]
Приведенная схема будет работать при положительных сигналах, не выше 10 В; при более высоком уровне сигнала напряжение на затворе будет недостаточным, чтобы удержать ПТ в состоянии проводимости ( RBKJI начинает расти); отрицательные сигналы вызовут включение ПТ при заземленном затворе ( при этом появится прямое смещение перехода канал-подложка; см. разд. [28]
 |
Возможные структуры Л1ДП - конденсаторов и соответствующие им эквивалентные схемы. [29] |
В структуре, изображенной на рис. 3.14, б, в качестве нижней обкладки конденсатора используется диффузионная р-область, основной является емкость - диэлектрика, а паразитными компонентами - емкость р-п перехода Срп ( барьерная емкость обратно смещенного р-п перехода) и диод Д, действие которого следует учитывать при прямом смещении р-п перехода. [30]
Страницы: 1 2 3 4