Прямое смещение - переход
Cтраница 3
 |
Упрощенная нелинейная модель биполярного транзистора. [31] |
Статическая схема замещения транзистора в упрощенной модели Эберса - Молла имеет вид, показанный на рис. 2.9. Определим для этой схемы аналитические выражения, связывающие токи и напряжения электродов в статическом режиме, и будем считать, что положительными значениями токов и напряжений являются те, направления которых соответствуют режиму насыщения: токи, втекающие в базу и коллектор; вытекающий ток эмиттера; напряжения прямых смещений переходов. Принятое положение объясняется тем, что анализ режима насыщения с помощью нелинейной модели наиболее важен. [32]
Распределение носи - работу диода можно описать сле-телей в диодах толстой и тон - дуЮЩИМ образом. При прямом смещении перехода концентрация дырок на его базовой границе повышается, и эти избыточные дырки диффундируют в глубь базы. Инжекция дырок в базу нарушает ее нейтральность и вызывает приток избыточных электронов из внешней цепи. [33]
При прямом смещении перехода концентрация дырок на его базовой границе повышается, и эти избыточные дырки диффундируют в глубь базы. Инжекция дырок в базу нарушает ее нейтральность и вызывает приток избыточных электронов из внешней цепи. Небольшая разница между этими кривыми обусловлена различием подвижностей электронов и дырок ( эффект Дем-бера, см. стр. Очевидно, что этот ток уменьшается с удалением от перехода. Так как полный ток диода должен быть одинаковым в любом сечении, то уменьшение диффузионного дырочного тока сопровождается ростом электронной составляющей. Однако величину полного тока удается вычислить без учета этой структуры, если воспользоваться сделанными выше допущениями. [34]
 |
Прямые характеристики реальных диодов - германиевого и кремниевого - в полулогарифмическом масштабе. Цифры характеризуют наклон кривых. [35] |
Из § 2 - 6 известно, что в равновесном состоянии токи термогенерации и рекомбинации в переходе взаимно компенсируются. При прямом смещении перехода крутизна потенциального барьера уменьшается и носители, не способные преодолеть барьер ( см. рис. 2 - 6), проникают в переход гораздо глубже. [36]
Величина тока рекомбинации п его доля в общем прямом токе перехода зависит от материала, из которого изготовлен переход. При больших прямых смещениях перехода ток рекомбинации не играет заметной роли. [37]
Активный режим работы транзистора в ключевом применении имеет место на фронтах переходного процесса переключения и характеризуется прямым смещением одного из переходов. При прямом смещении эмит-терного перехода активный режим называется нормальным. То есть в этом режиме эмиттер и коллектор транзистора выполняют свойственные им функции инжекции и собирания носителей тока. Несимметрия реальной структуры не располагает к свойству обратимости функций переходов, и, как правило, схемное инверсное включение транзистора на практике применяется крайне редко. Однако возможна физическая инверсия функций переходов, например, в процессе запирания биполярною транзистора очень большим отрицательным током базы, когда первым восстанавливает запирающие свойства эмиттерный переход при прямом смещении на коллекторном. [38]
Эксперименты показывают также, что путем нагревания приборов до высокой температуры ( 100 - 200 С) можно восстановить первоначальную картину распределения зарядов и, следовательно, вернуться к величинам параметров приборов, которые были до испытаний. Процессу восстановления также способствует прямое смещение перехода и повышенная влажность. [39]
Величина этой емкости, как правило, значительно больше барьг ерной. Режим работы варикапов при прямом смещении р-п перехода характерен для применения их в схемах умножения частоты. [40]
Величина этой емкости, как правило, значительно больше барьерной. Режим работы варикапов при прямом смещении р-п перехода характерен для применения их в схемах умножения частоты. [41]
 |
Принципиальные схемы, структуры и диаграммы распределения зарядов неосновных носителей в пяти вариантах диодных включений переходов транзистора ИС. [42] |
Через диод эмиттер - база, смещенный в прямом направлении, инжектируются носители в область базы. Свободно плавающий потенциал коллекторной области приобретает напряжение, создающее небольшое прямое смещение перехода база - коллектор. Для всех конструкций транзисторов, кроме изопланарных с эпитаксиальной базой, концентрация примеси в коллекторной области меньше, чем в базовой, поэтому под действием положительного смещения из базы инжектируются в коллекторную область дырки. [43]
Пусть к электронно-дырочному переходу подключен источник напряжения плюсом к / сьобласти и минусом к и-области. Такое подключение называют прямым. При прямом смещении перехода его потенциальный барьер уменьшится и большее количество основных носителей, чем при равновесном состоянии, перейдет через границу раздела. [44]
Для переходов, смещенных в обратном направлении, он получил для случая высоких частот значение две трети дробового шума, что согласовывалось с измерениями Скотта и Стратта, а для низких частот и при существенном различии коэффициентов эмиссии дырок и электронов ( случай, который, очевидно, часто реализуется на практике) он предсказал полный дробовой шум. При прямом смещении переходов Лауритцен показал, что уровень этого шума на низких частотах всегда находится между тремя четвертями и полным значением дробового шума. Естественный вывод из этих результатов состоял в следующем: рекомбинационно-генерационный шум обедненного слоя не является сильно зависящим от напряжения смещения или частоты; его величина всегда лежит между половиной и полным значением дробового шума диода. [45]
Страницы: 1 2 3 4