Cтраница 4
Как показано на рис. 2.12, пилот-сигнал поднесущей частотой 19 кГц поступает через конденсатор С1 на базу транзистора Тг усилителя. Так как этот контур настроен на частоту 19 кГц, он выделяет колебания этой частоты и подавляет сигнал других частот. Поскольку при этом отсутствует прямое смещение базового перехода, транзистор будет закрыт до тех пор, пока это смещение не появится. [46]
Помимо барьерной емкости переходу свойственна так называемая диффузионная емкость, вызванная инжекцией дырок в п-область ( или электронов в р-область) при прямом смещении перехода. Величина диффузионной емкости зависит от заряда носителей, накопленных в полупроводниковых слоях за пределами р-п-пере-хода за счет прямого тока. Диффузионная емкость пропорциональна току и практически всегда намного больше барьерной емкости при прямом смещении перехода. [47]
Инжекция носителей в коллектор приводит к уменьшению сопротивления тела коллектора. При высоких уровнях инжекции ( при больших значениях коллекторного тока) становится ощутимым падение напряжения в коллекторной области. Вытеснение инжекции к периферии эмиттера может привести к тому, что из-за падения напряжения в коллекторной области при больших токах коллектора прямое смещение перехода будет не по всей площади коллектора, а лишь в области, расположенной непосредственно под периферией эмиттера. [48]