Снижение - потенциальный барьер
Cтраница 1
 |
Схема включения транзистора с общей базой. [1] |
Снижение потенциального барьера в эмиттерном переходе приводит к тому, что тормозящее действие поля в переходе ослабляется, в результате чего дырки могут переходить из эмиттера в базу, а электроны - в обратном направлении. Количество примесей, введенных в материал эмиттера, таково, что концентрация дырок в области эмиттера значительно больше, чем концентрация электронов в области базы. Поэтому возникающий эмиттерный ток состоит преимущественно из дырок. [2]
 |
Распределение в транзисторе. [3] |
Снижение потенциального барьера эмиттер ного перехода приводит к увеличению числа дырок, которые могут преодолеть этот барьер и перейти из эмиттера в базу. Поскольку потенциальный барьер коллекторного перехода увеличивается, дырри через этот переход из коллектора в базу не поступают, Подходящие к границе коллекторного перехода со стороны базы дырки втягиваются полем перехода в коллекторную область и концентрация их н а границе базы с коллектором уменьшается. [4]
Снижение потенциального барьера между эмиттером и базой облегчает процесс диффузии дырок из эмиттера в базу и электронов из базы в эмиттер. Дырки, попадающие в базу, стремясь равномерно заполнить ее объем, попадают в область база - - коллектор и здесь под действием электрического поля увлекаются в коллектор. В результате в цепи коллекюра возникает электрический ток. Он меньше тока эмиттера, так как не все дырки, попавшие в базу, переходят в коллектор. Часть дырок рекомбинирует в базе с электронами. Кроме того, ток эмиттера больше тока коллектора за счет того, что он обусловлен не только диффузией дырок из эмиттера в базу, но и диффузией электронов из базы в эмиттер. Эта последняя составляющая тока эмиттера идет целиком мимо коллектора. [5]
Снижение потенциального барьера в эмиттерном переходе приводит к ослаблению в нем тормозящего поля. [6]
 |
Обратное включение р-п перехода.| Прямое включение. [7] |
Снижение потенциального барьера в прямо включенном р-п переходе облегчает диффузию основных носителей, поэтому ток диффузии увеличивается. Кроме того, происходит сужение запирающего слоя, что непосредственно следует из формулы ( 2 - 2) при уменьшении V. Более подробно этот процесс объяснен в следующем параграфе. [8]
 |
Обратное включение р-п перехода.| Прямое включение р-п перехода. [9] |
Снижение потенциального барьера в прямо включенном р-п переходе облегчает диффузию основных носителей, поэтому ток диффузии увеличивается. Более подробно этот процесс объяснен в следующем параграфе. [10]
Снижение потенциального барьера между эмиттером и базой облегчает процесс диффузии дырок из эмиттера в базу и электронов из базы в эмиттер. [11]
 |
Схемы включения биполярного транзистора. [12] |
Снижение потенциального барьера в эмиттерном переходе приводит к тому, что тормозящее действие поля в переходе ослабляется, в результате чего дырки могут переходить из эмиттера в базу, а электроны - в обратном направлении. Количество примесей, введенных в материал эмиттера, значительно больше, чем концентрация электронов в области базы. Поэтому возникающий эмиттерный ток состоит преимущественно из дырок. [13]
Снижение потенциального барьера третьего перехода и наличие поля во втором переходе, действующего на дырки справа налево, обусловливает увеличенное перемещение дырок в JV-базу от правого эмиттера Р, где они частично рекомбинируют, а часть из них переходит в Р - базу, как это показано штриховыми стрелками на рис. 18 - 13 6, вызывая встречное движение электронов. Благодаря инжекции дырок из эмиттера Р и обусловленной этим инжекции электронов в Р - базу отпадает необходимость в управляющем напряжении и оно может быть снято, тиристор останется проводящим. [14]
Страницы: 1 2 3 4