Снижение - потенциальный барьер
Cтраница 3
Эти процессы претерпевают видоизменения вследствие влияния ударной ионизации; порождаемые при этой ионизации ионы собираются на катоде и вызывают снижение потенциального барьера. Представления о взаимодействии между жидкостью и барьером в основном совпадают с теорией Грина; они могут быть подтверждены также наблюдениями, при которых обнаружено появление ионов в жидкости при ее облучении извне. При гамма-облучении жидкого диэлектрика Грин наблюдал характерное увеличение тока, а Хауз никакого увеличения не обнаружил; следует, однако, подчеркнуть, что опыты производились при значениях поля менее 200 и около 750 кв-см 1 соответственно. В начале этого параграфа уже отмечалось, что в сильных полях эффект облучения затушевывается более интенсивными процессами электропроводности; это обстоятельство может служить объяснением того расхождения, которое имеется между результатами Грина и Хауза. [31]
Как и в случае термоэлектронной эмиссии, увеличение напряженности внешнего электрического поля у фотокатода также увеличивает фотоэлектронную эмиссию за счет снижения потенциального барьера катода. При этом порог фотоэффекта смещается в сторону более длинных волн. [32]
 |
Тиристор. а - схема включения, б - вольт-амперные характеристики. [33] |
Электроны, подходя к эмиттерному p - n - переходу ЭП1, нейтрализуют в нем неподвижный положительный заряд ионизированных доноров что приводит к снижению потенциального барьера. Поток дырок из эмиттера рг в базу пг увеличивается. Растет плотность потока дырок через коллекторный переход, а вместе с ним и число образуемых пар. Ток, проходящий через коллекторный переход и прибор, возрастает. Рост тока сопровождается падением напряжения на переходе в связи с увеличением в его области подвижных носителей. Этому соответствуют участки / / / и IV характеристики. [34]
В заключение следует отметить, что, как ив случае термоэлектронной эмиссии, увеличение напряженности внешнего электрического поля у фотоэмиттера также увеличивает фотоэмиссию за счет снижения потенциального барьера эмиттера. При этом смещается в сторону более длинных волн порог фотоэффекта. [35]
 |
Включение транзистора в электрическую цепь. а - транзистор в отключенном и включенном состоянии. б - распределение потенциалов в переходах для включенного состояния. [36] |
Если теперь подать на базовый электрод управляющее напряжение ( / у с полярностью, показанной на рис. 18 - 6, б, то благодаря снижению левого потенциального барьера в цепи эмиттер - база будет протекать ток, обусловленный движением электронов через эмиттер в базу и дырок через базу в эмиттер. [37]
На повышение буримости горных пород может оказать влияние и промывочная жидкость, если учесть хемомеханический эффект, сущность которого заключается в пластифицировании кристаллов горных перед снижением поверхностного потенциального барьера и облегчением скольжения за счет энергии поверхностной химической реакции между активными компонентами раствора и горной породой. [38]
Однако в фототранзисторе в отличие от фотодиода имеется вторая составляющая фототока: уход дырок из базы приводит к образованию в ней нескомпенсированного отрицательного объемного заряда и к снижению потенциального барьера эмиттера, в результате чего увеличивается число дырок, инжектируемых эмиттером в базу, а следовательно, и число дырок, переходящих из базы в коллектор. [39]
 |
Диаграмма потенциальной энергии для ls - элек-трона свободного водородного атома в поле с напряженностью 2 108 в см-1. [40] |
Интересно отметить, что при одном и том же приложенном поле просачивание сквозь барьер происходит легче вблизи поверхности металла, чем в объеме газа, потому что под влиянием силы изображения и обменных сил происходит снижение потенциального барьера, сквозь который электрон должен просочиться. [41]
Во втором направлении, посвященном изучению зависимости вязкости от температуры, начало которому было положено работами Я. И. Френкеля [243], необходимо отметить работы Н. И. Шишкина, который установил, что энергия активации вязкого течения экспоненциально уменьшается с ростом температуры вследствие снижения потенциальных барьеров, обусловленных межмолекулярным взаимодействием [244], а также работы Г. М. Бартенева [245], подробно проана-лизиро 1вавшего температурную - зависимость вязкости при различных условиях эксперимента. [42]
Такой ход характеристики объясняется тем, что при малых значениях напряжения U3 не происходит достаточного снижения потенциального барьера р-я-перехода. Снижение потенциального барьера происходит с увеличением U3 как прямого напряжения, приложенного к p - n - переходу, и осуществляется полностью на прямолинейном участке характеристики. [43]
Электроны перемещаются против электрического поля в пограничном слое, а дырки - в противоположном направлении. Благодаря снижению потенциального барьера, который препятствует диффузии, облегчается диффузия дырок и электронов в области N и Р соответственно. При этом увеличивается рекомбина-ционный ток 1д, а тепловой ток iT остается неизменным при данной температуре, так как зависит только от числа дырок и электронов, образующихся при тепловом движении. [44]
Результаты экспериментов можно объяснить тем, что в про-ессе контакта полимера и металла возникает контактная раз-потенциалов и происходит переход носителей зарядов в контакта. Переход облегчается снижением потенциального барьера при нагревании под давлением. [45]
Страницы: 1 2 3 4