Снижение - потенциальный барьер
Cтраница 4
В освещенной области р - га-перехода при падении луча света перпендикулярно к его плоскости возникают неравновесные носители заряда; они двигаются под действием диффузии; достигнув р - тг-перехода, неосновные носители заряда захватываются его полем и увлекаются в другую область, где они являются уже осн. Это приводит к снижению потенциального барьера и, следовательно, - к увеличению потока осн. [46]
В освещенной области р - га-перехода при падении луча света перпендикулярно к его плоскости возникают неравновесные носители заряда; они двигаются под действием диффузии; достигнув р - re - перехода, неосновные носители заряда захватываются его полем и увлекаются в другую область, где они являются уже осн. Это приводит к снижению потенциального барьера и, следовательно - к увеличению потока осн. [47]
В кристаллах атомы расположены на расстояниях d 10-в м, и потому между ними существует сильное взаимодействие. Это взаимодействие и вызывает снижение потенциальных барьеров между атомами. [48]
По его мнению, роль противоположно заряженного лиганда состоит в образовании ионной пары с одним из реагентов, например Ре ХГ. При этом наиболее существенный вклад в снижение потенциального барьера реакции вносит уменьшение степени гидратации ионной пары, что приводит к выравниванию энергий гидратации обоих реагентов. В результате уменьшается затрата энергии на выравнивание структур реагирующих ионов и возрастает вероятность переноса электрона в соответствии с принципом Франка-Кондона. [49]
 |
Экспериментальные зависимости тока проводимости в ПЭТФ от напряженности - 1 поля. [50] |
Ток проводимости, измеряемый при наложении постоянного напряжения на полимерный диэлектрик, только при низких напря-женностях поля Е прямо пропорционален Е с ростом напряженности ток растет быстрее вследствие процессов инжекции. Рост тока объясняется термическим возбуждением носителей зарядов и снижением потенциального барьера выхода носителей электрическим полем. [51]
Таким образом, компенсирующие ионы становятся частью красильной системы, и без них эта система не может активно функционировать. Следовательно, нейтральный электролит нужен ие только как средство для снижения потенциального барьера, возникающего на пути аниона красителя к поверхности волокна, но и как датчик компенсирующих ионов, необходимых для сорбции частиц красителя. [52]
При неравномерном легировании базовой области ( с плавным увеличением концентрации акцепторов от р-я-перехода к тыльной поверхности в базе р-типа) в ней возникает электрическое поле, приводящее к увеличению эффективной длины диффузионного смещения электронов и снижающее потери на объемную рекомбинацию генерированных светом носителей. Однако это приводит и к ряду негативных явлений: уменьшается напряжение холостого хода вследствие снижения потенциального барьера при уменьшении концентрации примеси вблизи р-я-перехода; уменьшаются значения времени жизни и диффузионной длины электронов в материале с большей концентрацией акцепторов. Поэтому более широкое распространение получили кремниевые СЭ с резким изотшшымр-р ( п-п) барьером вблизи тыльного металлического контакта. Наличие тыльного потенциального барьера обеспечивает отражение неосновных носителей от поверхности, снижая роль поверхностной рекомбинации и увеличивая эффективность собирания ННЗ, генерированных в базе фотонами с малой энергией. Дополнительно к этому в СЭ с тыльным барьером увеличивается напряжение холостого хода, что обусловлено возрастанием фототока и уменьшением обратного тока насыщения вследствие снижения рекомбинационного тока на тыльной поверхности. [53]
Скорость атермальиой нуклеации 1 возникает вследствие дифференцирования объема i; , уменьшающегося при охлаждении расплава. Этот механизм заключается в образовании центров кристаллизации из дозародышей при постоянной функции распределения / вследствие снижения потенциального барьера нуклеации и уменьшения размера критического зародыша вследствие понижения температуры расплава. [54]
В нашей работе [110] хемомеханический эффект установлен впервые прямыми микроскопическими наблюдениями. Этот эффект наблюдавшийся на монокристаллах, проявился в пластифицировании и возникновении потока дислокаций к поверхности вследствие снижения поверхностного потенциального барьера при химическом взаимодействии с внешней средой и растворении металлов и минералов. [55]
Сначала характеристика изменяется по экспоненциальному закону, а затем становится линейной. Такой ход характеристики объясняется тем, что при малых значениях напряжения t / э не происходит достаточного снижения потенциального барьера P - jV - перехода. Снижение потенциального барьера происходит с увеличением L / э как прямого напряжения, приложенного к Р - Л / - переходу, и осуществляется полностью на прямолинейном участке характеристики. [56]
Характерной особенностью процесса является преимущественное выделение и отрыв пузырьков кислорода в местах микровыступов. Происходит разрыв в этих местах вязкой пленки и пленки ПАВ; увеличивается скорость растворения микровыетупов за счет снижения потенциального барьера на пути переходящих в раствор ионов металла. [57]
При этом коллекторный переход смещается в прямом направлении, и происходит инжекция носителей заряда как в базовую, так и в коллекторную области транзисторной структуры. Для варианта / / /, характеризующегося разомкнутой цепью эмиттера, инжекция электронов из коллектора в базу вызывает снижение потенциального барьера между эмиттером и базой, что в свою очередь приводит к незначительной инжекции носителей из эмиттера в базу, увеличивающей время восстановления сопротивления. Вариант IV характеризуется самым большим временем восстановления обратного сопротивления, так как в этом случае оба перехода транзисторной структуры смещены в прямом направлении и происходит наибольшее накопление заряда. [58]
Страницы: 1 2 3 4