Снижение - потенциальный барьер
Cтраница 2
Благодаря снижению потенциального барьера, который препятствует диффузии, облегчается диффузия дырок и электронов в области пир соответственно. При этом увеличивается рекомбинационный ток IK, а тепловой ток LT остается неизменным при данной температуре, так как зависит только от количества дырок и электронов образующихся при тепловом движении. [16]
В результате снижения потенциального барьера на эмиттерном переходе из эмиттера в базу начинается диффузионное движение основных носителей. Поскольку концентрация дырок в эмиттере выше концентрации электронов в базе ( ррэ пб) коэффициент июкекции у весьма высок. [17]
 |
Токи в транзисторе. [18] |
В результате снижения потенциального барьера дырки из области эмиттера диффундируют через р-и-переход в область базы ( инжекция дырок), а электроны - из базы в область эмиттера. Однако, поскольку удельное сопротивление базы высокое, дырочный поток носителей заряда преобладает над электронным. [19]
Адсорбция водорода вследствие снижения потенциальных барьеров неизбежно облегчит выход дислокаций на поверхность микротрещины и ускорит зарождение, а также генерацию подповерхностных источников дислокаций. [20]
Это приводит к снижению внутреннего потенциального барьера в фотодиоде ( аналогично приложению прямого напряжения в обычном диоде); уровни Ферми в структуре по обе стороны от р-п перехода уже не совпадают, а смещаются относительно друг друга. [21]
Внешнее электрическое поле приводит к снижению потенциального барьера у поверхности тела, а следовательно, к снижению работы выхода. [22]
 |
Статистическое расположение разнородных атомов в твердом растворе замещения ( а и послойное расположение их в сверхструктуре ( б. [23] |
Наложение электрического поля к кристаллам приводит к снижению потенциального барьера, тормозящего перемещение ионов по решетке, и возникает ионная электропроводимость. [24]
Сущность этого эффекта состоит в пластифицировании кристалла путем снижения поверхностного потенциального барьера и облегчения скольжения ( или двойникования) за счет энергии поверхностной химической реакции. [25]
В условиях трения образовавшиеся в металле дислокации подходят к поверхности и вследствие снижения поверхностного потенциального барьера под влиянием активной среды разряжаются. В результате разрядки дислокаций в поверхностном слое появляются дополнительные активные центры, ответственные за образование вакансий. Кроме того, химические реакции на поверхности металла при трении в среде смазки, увеличивая плотность вакансий в слоях толщиной порядка размера атома, приводят к образованию дырок под поверхностью вследствие перехода атомов нижних слоев на образовавшиеся вакантные узлы. И, наконец, наличие в зоне контактного взаимодействия чередующихся зон растяжения и сжатия, а также эффекта обратимости при пластическом деформировании обусловливают повышение концентрации вакансий. [26]
Падение плотности дислокаций в поверхностных слоях связано с адсорбцией ПАВ смазки и снижением поверхностного потенциального барьера движущимся дислокациям. Последнее обусловливает важное свойство избирательного переноса -: в процессе трения не происходит накопления повреждений, приводящих к разрушению поверхности. [27]
Такой ход характеристики объясняется тем, что при малых значениях напряжения U3 не происходит достаточного снижения потенциального барьера р-я-перехода. Снижение потенциального барьера происходит с увеличением U3 как прямого напряжения, приложенного к p - n - переходу, и осуществляется полностью на прямолинейном участке характеристики. [28]
Наложение потенциала, сообщающего металлу положительный относительно полупроводника ( га-типа) заряд, приводит к снижению потенциального барьера, препятствующего переходу электронов из полупроводника в металл, и электроны легко проникают в металл. [29]
Предполагается, что разрыв цепных молекул под действием напряжения происходит путем кооперативного воздействия механических сил ( снижение потенциального барьера разрыва соединяющих связей) и статистически флуктуирующих тепловых колебаний среды, восполняющих недостающую величину энергии, которая необходима для разъединения нагруженной связи. Также полагают, что уравнение (5.57) достаточно для адекватного описания влияния механической и тепловой энергий на скорость kc процесса термомеханического разрыва цепи. Если данное предположение справедливо, то нехватка тепловой колебательной энергии будет увеличивать стабильность напряженной связи. [30]
Страницы: 1 2 3 4