Совершенство - кристаллическая структура
Cтраница 1
Совершенство кристаллической структуры искусственно выращиваемых кристаллов зависит от чистоты исходного сырья и условий выращивания. [1]
Нарушения совершенства кристаллической структуры, например дислокации, локальные механические напряжения в кристалле, трещины, могут возникать в процессах выращивания и обработки полупроводника, при механическом ударе или вибрации, при облучении кристалла, при резких перепадах температуры ( термических ударах), в технологических процессах формирования структур ИМ. Дефекты в виде дислокаций вызывают неравномерную диффузию примеси, что является причиной локального перегрева отдельных участков р-п перехода и возникновения пробоев. [2]
Повышение совершенства Кристаллической структуры и ( коэффициентов термического расширения графита должно способствовать снижению радиационных размерных изменений в нем особенно при высоких дозах облучения. [3]
 |
Температурные зависимости концентрации электронов в германии с разной концентрацией - мышьяка. [4] |
Чистота и совершенство кристаллической структуры образцов сильно влияют на коэффициент термо-э. [5]
При нарушении совершенства кристаллической структуры, подвижность может только уменьшаться: ц s HT - На рис. 89 показана зависимость подвижности электронов и дырок от концентрации примеси при комнатной температуре. [7]
Отмечено влияние совершенства кристаллической структуры графита на скорость размерных изменений. [8]
 |
Зависимость между диаметром кристаллитов ( La и приведенной к нулевой пористости средней величины теплопроводности Uncnp Для термообра-ботанных в интервале 1300 - 3000 С по-пуфабри катов. [9] |
Для материалов с низким совершенством кристаллической структуры имеет место отклонение от указанной прямой пропорциональности ( термическое сопротивление оказывается выше) - все больший вклад вносит рассеяние фононов на дефектах решетки. [10]
Микроструктура кокса определяет степень совершенства кристаллической структуры на всех стадиях термообработки. [11]
Значение Р определяется степенью совершенства кристаллической структуры и микроструктурной организаций графита, коэффициента а - характером распределения пор в материале. В полулогарифмических координатах уравнение ( 1) представляется прямой. [12]
Микроструктура кокса определяет степень совершенства кристаллической структуры на всех стадиях термообработки. [13]
Микроструктура кокса определяет степень совершенства кристаллической структуры на всех стадиях термообработки. [14]
Меньшие размеры частиц и степень совершенства кристаллической структуры для синей формы по сравнению с розовой сказываются, как это и должно быть, на их термической устойчивости: синяя ( а-форма) Со ( ОН) 2 начинает дегидратироваться уже при температуре 170 С, а розовая ( р-форма) Со ( ОН) 2 устойчива даже при 300 С. [15]
Страницы: 1 2 3 4