Совершенство - кристаллическая структура
Cтраница 3
Таким образом, видно, что эпитаксиальные пленки CdTe с достаточно высокой степенью совершенства кристаллической структуры могут быть получены при скоростях охлаждения парогазовой смеси 619 6 - 23 6 град / с в любой части зоны осаждения. При этом роль фактора в заключается в том, что он определяет величину пересыщения и характер его изменения с температурой по длине зоны кристаллизации. В экспериментах, проведенных при значениях в, отличных от оптимального, не было получено положительных результатов, хотя во всех случаях диапазон значений скоростей роста и пересыщений был достаточно широким. Очевидно, что в данном случае для осуществления процесса ориентированного нарастания необходимо, чтобы определенному интервалу значений пересыщения парогазовой фазы над подложкой AZ соответствовала также определенная область температур Тп. При этом оба эти фактора, по-видимому, создают такие условия, при которых частицы осаждаемого вещества приобретают необходимую для планомерной застройки поверхности подложки миграционную способность. [31]
В работе [150] отмечается, что величина С44 растет по мере увеличения степени совершенства кристаллической структуры поликристаллического материала. [32]
 |
Изменение содержания карбида кремния ( J и кремния ( 2 в силициро-ванном графите марки СГ-Т в зависимости от времени силйцирования ( т при 1800 - 1850 С. [33] |
Силицированный графит представляет собой композиционный материал, который состоит из углерода с различной степенью совершенства кристаллической структуры, карбида кремния а - или - модификации, свободного кремния, с примесями SiO2 и азота. Технология изготовления деталей из силицированного графита несложна. Из заготовок графита заданной формы и размеров их вытачивают или прессуют с учетом необходимых припусков, а затем пропитывают жидким кремнием при температурах выше температуры плавления кремния. [34]
Можно предположить, что постоянная ар определяется характером распределения пор, а р0 - совершенством кристаллической структуры. [35]
 |
Зависимость коэффициента установившейся ползучести от скорости относительного изменения размеров кристаллитов и прочности материала. ( На кривых указана температура облучения. [36] |
Прочность при сжатии образцов составляла соответственно 300 и 600 кгс / см2, а степень совершенства кристаллической структуры и, следовательно, диаметры кристаллитов одинаковы. [37]
Выражения (4.14) и (4.12) дают возможность рассчитать радиационные размерные изменения углеродных материалов, различающихся степенью совершенства кристаллической структуры. Такой расчет выполнен в работе [18] для полуфабриката ГМЗ, степень совершенства которого изменяли термообработкой. [38]
 |
Количество аккумулированной / и оставшейся после отжига при 1273 К энергии 2 в облученном графите в зависимости от дозы облучения. [39] |
Большой разброс значений теплот сгорания, приведенных выше, адекватно отражает большое разнообразие в степенях совершенства кристаллических структур углеграфитовых материалов. Графиты с менее совершенной структурой обладают большей теплотой сгорания, чем графиты с более совершенной структурой. [40]
 |
Сопоставление зависимостей относительного изменения объема ДУ / V графита различных марок ( указаны на рисунке в зависимости от флюенса нейтронов. ( Облучение при температуре 700 С. [41] |
У рассмотренных выше графитов различие их радиационной размерной стабильности определялось прежде всего анизотропией свойств и степенью совершенства кристаллической структуры. При высокотемпературном облучении высокими дозами наряду с перечисленными факторами на размерные эффекты существенно влияет плотность материала. Сама плотность при этом также не остается постоянной. Бокрос и Каяма [162] исследовали облученные флюенсом до 3 - Ю21 нейтр. Плотность при облучении росла и тем значительнее, чем ниже она была до облучения. [42]
Хорошо известно, что многие свойства твердых тел зависят в той или иной мере от степени совершенства кристаллической структуры. Дислокации и дефекты упаковки являются поэтому характеристиками, необходимыми для объяснения многих свойств твердых тел вообще и графита в частности. [43]
Каолиниты различных месторождений, относящиеся к структурному типу 1: 1, разнятся между собой степенью совершенства кристаллической структуры, числом нарушений поверхности и размерами частиц. Физико-химические и структурно-механические свойства их водных дисперсий могут изменяться в широком диапазоне. [44]
Из приведенных данных видно, что если с повышением температуры осаждения скорость его увеличивается немонотонно, то совершенство кристаллической структуры пироуглеродной пленки непрерывно растет до 2000 С, а затем наступает стабилизация роста. Достигнутый уровень в изменении Lc, весьма далек от уровня, присущего высокосовершен - - ным графитовым материалам. [45]
Страницы: 1 2 3 4