Совершенство - кристаллическая структура
Cтраница 2
На скорость спекания влияют степень совершенства кристаллической структуры тела, равномерность и степень измельчения, температура процесса, состав газовой фазы над материалом, давление предварительного сжатия. Монодисперсный порошок обычно спекается медленнее, чем полидисперсный. С повышением температуры скорость спекания увеличивается в соответствии с возрастанием подвижности структурных элементов решетки и сил поверхностного натяжения. [16]
Для материалов с более высокой степенью совершенства кристаллической структуры разница может быть значительной. [17]
Температурный коэффициент линейного расширения по мере повышения совершенства кристаллической структуры приближается к таковому для монокристалла. Для направления, параллельного плоскости осаждения, это происходит путем уменьшения величины а до нуля; затем она становится отрицательной. Для перпендикулярного к плоскостям отложения направления а увеличивается. [18]
Термообработка графита при 2500 С, степень совершенства кристаллической структуры и коэффициент термического расширения у всех композиций одинаковы. [19]
 |
Зависимость от температуры осаждения степени совершенства ( у кристаллической решетки пироуглерода, полученного в печах сопротивления ( / и в индукционной печи ( 2. [20] |
Помещенный на рис. 85 график иллюстрирует невысокую степень совершенства кристаллической структуры материала, полученного в печах сопротивления. [21]
При этом отмечено снижение радиационных эффектов с увеличением совершенства кристаллической структуры материала. [22]
Таким образом, сочетание каолинита, обладающего высокой степенью совершенства кристаллической структуры, хорошей окристаллизовашюстью частиц и низкими значениями емкости катионного обмена и гидрофильное, и монтмориллонита, характеризующегося глубоким несовершенством кристаллической структуры, наличием частиц, форма которых расплывчата и совершенно лишена огранки, высокими величинами гидрофильна-сти и емкости катионного обмена, приводит к образованию коаг-гуляционных структур суспензий, менее устойчивых и менее прочных, чем структуры исходных компонентов. Это происходит па-тому, что форма, размеры и характер разрушения поверхности частиц обоих минералов не представляют возможностей для образования прочных контактов в их искусственных смесях. Тем не менее добавки монтмориллонита, уменьшая прочность структур и особенно снижая их вязкость, позволяют изменять механические и деформационные характеристики в довольно широких пределах. [23]
Учитывая, что все физико-механические свойства углегра-фитовых материалов определяются совершенством кристаллической структуры, ориентацией кристаллитов, пористостью и ее распределением, можно найти связи между различными механическими параметрами материалов. [24]
Поскольку рассматриваемые варианты графита ВПГ - высокосовершенные материалы с близкой степенью совершенства кристаллической структуры, то влияние этого показателя не учитывается. [25]
Важнейшим фактором, определяющим физические свойств углеродных материалов, является степень совершенства кристаллической структуры, которая обусловлена прежде всего-температурой окончательной обработки и природой используемых в производстве графита сырьевых материалов. Из малоокисленных, богатых водородом материалов ( нефтяные и пеко-вые коксы) получают, как правило, углеродные материалы легкографитируемые. Вследствие деструкции боковых радикалов возрастает число свободных атомов углерода. [26]
Погрешность определения деформации радиационной ползучести обусловлена неоднородностью материала по прочности, степени совершенства кристаллической структуры, текстуры. [27]
На основании проведенного исследования можно констатировать, что на стадии графитации степень совершенства кристаллической структуры коксов определяется структурой, заложенной в процессе коксования. [28]
Автор указанной работы делает вывод, что увеличение размеров кристаллитов, или степени совершенства кристаллической структуры, не обеспечивает повышения размерной стабильности при высокотемпературном облучении. [29]
 |
Изменение пересыщения с температурой по длине зоны кристаллизации.| Зависимость высоты топографического дефекта пленки CdTe от скорости роста. [30] |
Страницы: 1 2 3 4