Совершенство - кристаллическая структура
Cтраница 4
Особенности размена энергии бомбардирующих электронов и передачи ее излучающим центрам обусловливают сильную зависимость яркости катодолюминесценции от степени совершенства кристаллической структуры материала. Катодолюминесценция практически отсутствует и стеклах; яркость ее, наоборот, сильно возрастает в процессе расстекло вания, что хорошо наблюдается, например, при рекристаллизации активированных марганцем боратных стекол. Эта особенность свечения может быть с успехом использована при изучении диаграмм состояния систем, обнаруживающих тенденцию к образованию стекловатых структур. В системе окись кальция - фосфорный ангидрид яркость фотолюминесценции слабо меняется в окрестности сингулярной точки, отвечающей составу пирофосфата. В случае электронного возбуждения падение яркости так же слабо при изменении состава в сторону хорошо кристаллизующегося ортофосфата. В то же самое время сам метафосфат в хорошо закристаллизованной форме обладает достаточно яркой катодолюминесценциеп. [46]
 |
Зависимость размеров кристаллитов окиси алюминия от температуры контрольной поверхности. [47] |
Таким образом, полученные результаты, с одной стороны, уста навливают связь между размерами кристаллитов и совершенством кристаллической структуры образующейся при данных условиях окиси алюминия, с другой стороны, определяют влияние условий закалки на размер кристаллитов окиси алюминия. [48]
В тех случаях, когда температура стеклования полимера ниже температуры эксплуатации образца, но степень кристалличности ( или степень совершенства кристаллической структуры) очень высока, эластичность проявляется относительно слабо. Это характерно для волокон из изо-тактического полипропилена. Волокна из атактического полипропилена обладают высокой эластичностью, подобно каучуку. [49]
Связь между электросопротивлением и структурным параметром - диаметром областей когерентного рассеяния - дает возможность по электросопротивлению, которое легко измерить, оценить совершенство кристаллической структуры графита. [51]
Темп формоизменения графита, как известно [6], определяется его структурой и свойствами - тепловым коэффициентом линейного расширения и его анизотропией, степенью совершенства кристаллической структуры, плотностью, микроструктурной организацией - концентрацией сферолитовой составляющей. Существенно, что с ее ростом вторичное распухание начинается по дозе позднее. [52]
С образцов полуфабриката ГМЗ, обработанных при различной температуре ( рис. 3.40), следует, что скорость неустановившейся ползучести материалов с более высокой степенью совершенства кристаллической структуры выше. [53]
Как следует из данных, приведенных для 3 3 бисхлорметилок-сациклобутана, предельная конверсия которого зависит от размера кристаллов мономера, это явление связано со степенью совершенства кристаллической структуры. [54]
Прочность при сжатии, как и другие макросвойства ( электросопротивление, теплопроводность, твердость, модуль упругости, коэффициент вязкости разрушения) обусловлена, наряду со степенью совершенства кристаллической структуры, микроструктурной организацией и пористостью ( плотностью) графита. [55]
 |
Изменение скорости переноса GaAs / Ge в зависимости от расстояния между подложкой и источником при tn 725 С, ги 825 С ( 1 и 900 С ( 2. [56] |
Сажин и Маслов [166] обратили внимание на то, что при использовании в качестве источника поликристаллических пластин GaP эпитаксиальная пленка состоит из участков различной толщины и с неодинаковым совершенством кристаллической структуры, причем форма и расположение этих участков полностью соответствуют зернам в поликристаллической пластине источника. [57]
Из многочисленных экспериментальных данных следует, что основные физические свойства конструкционных графитовых материалов, полученных по электродной технологии, определяются в основном двумя факторами - пористостью и степенью совершенства кристаллической структуры. [58]
 |
Связь с деформацией при сжатии тангенса угла наклона медианы петли гистерезиса ( k при циклической нагрузке колец. [59] |
Выполненная расчетная оценка показала, что графит ВПГ-КП из промышленной партии и выпускавшийся ранее стандартный ( ВПГ), из-за близости их ТКЛР и его анизотропии, а также степени совершенства кристаллической структуры, должны обладать и близкими скоростями усадки в радиальном направлении. Последняя при рабочих температурах линейна с дозой до - 1 - 1022 нейтр / см2, как это следует из упругой модели. При облучении выше указанной дозы развивается вторичное распухание. А поскольку плотность и кристалличность графита из промышленной партии и стандартного равны, то будут равны и скорости вторичного распухания. [60]
Страницы: 1 2 3 4