Туннельный диод

Cтраница 1

Вольт-амперные характеристики нелинейных двухполюсников. [1]

Туннельный диод ( случай б) имеет немонотонную ВАХ с некоторым падающим участком. Иногда ВАХ такой формы называют характеристиками N-типа. [2]

Вольтамперные характеристики германиевого туннельного. [3]

Туннельные диоды из материала с большим значением Qa должны быть более стойкими к воздействию радиации при прочих равных условиях. [4]

Туннельные диоды являются одними из наиболее стойких к воздействию радиации полупроводниковых приборов. [5]

Электронный ключ на разно-полярных транзисторах и туннельных диодах. [6]

Туннельный диод ТД2 выбирается с малым током максимума. TI и Т2 заперты, через туннельный диод ТД2 ток не течет. Даже если это требование выполнено, туннельный диод во время всего процесса разряда конденсатора находится в состоянии высокого напряжения за счет части тока разряда, протекающего через переход эмиттер-коллектор транзистора TI. При использовании в схеме ключа разнополярных транзисторов 7 типа П416, Т2 типа МП103, туннельного диода ТД из арсени-да галлия с током максимума 2 ма, германиевого туннельного диода ТД2 с током максимума 2 ма, разряд конденсатора Ci 0 5 мкф, заряженного до напряжения 10 в, и запирание ключа происходит за 5 - 7 мксек. [7]

Туннельный диод может быть получен не только на монокристаллическом германии, о и на поликристалли-чеоком. [8]

Наиболее перспектив - - - - - - - - - ным материалом для из. [9]

Туннельные диоды, изготовленные на антимониде индия, обладают наилучшими высокочастотными свойствами. Они могут найти применение в сверхбыстродействующих счетных машинах. Но необходимым условием их применения будут низкие температуры ( температура жидкого азота), так как уже в области комнатных температур они теряют туннельные свойства. [10]

Туннельный диод, подробно рассмотренный в статье [1] и в обширной библиографии, приведенной в той же статье, является, если можно так выразиться, существенно квантовым прибором; поэтому запись аналитического выражения вольтамперной характеристики туннельного диода можно произвести лишь в терминах квантовой механики. При существующем состоянии теории зависимость ii ( u ] нельзя довести до простой расчетной формы, однако она содержит в себе все физически существенные свойства нового прибора. [11]

Туннельный диод является двухполюсником, управляемым напряжением: его вольтамперная характеристика однозначна при задании напряжения и неоднозначна при задании тока. [12]

Туннельный диод представляет собой р-п переход с сильйолегированными р - и n - областями, которые создают запирающий слой с толщиной около 0 01 мкм. [13]

Туннельные диоды используются в качестве генераторов и усилителей диапазона СВЧ в быстродействующих ключевых и импульсных устройствах и других схемах. [14]

Туннельные диоды могут работать в более широком интервале рабочих температур, чем обычные полупроводниковые диоды ( до 200 С германиевые; до 400 С - кремниевые; до 600 С - арсенид-галлие-вые) и при более высоких уровнях радиации. Это объясняется тем, что туннельный ток практически не зависит от температуры и радиации. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5