Туннельный диод

Cтраница 3

Туннельный диод представляет собой р-п переход с сильколегированными р - и n - областями, которые создают запирающий слой с толщиной около 0 01 мкм. [31]

Туннельные диоды используются в качестве генераторов и усилителей диапазона СВЧ в быстродействующих ключевых и импульсных устройствах и других схемах. [32]

Туннельные диоды могут работать в более широком интервале рабочих температур, чем обычные полупроводниковые диоды ( до - f - 200 C германиевые; до 400 С - кремниевые; до 600 С - арсенид-галлие-вые) и при более высоких уровнях радиации. Это объясняется тем, что туннельный ток практически не зависит от температуры и радиации. [33]

Типичная зависи - Надежность электронного. [34]

Туннельные диоды и полевые транзисторы обладают большей радиационной стойкостью, чем обычные диоды и биполярные транзисторы. [35]

Вольт-амперная характеристика туннельного диода и изменение напряжения переключения.| Схема смесителя с диодом. [36]

Туннельный диод как сме - / ситель. На рис. 3 - 26 изображена схема смесителя с обычным диодом. [37]

Туннельный диод - двухполюсный прибор с отрицательным сопротивлением на прямой ветви характеристики, обусловленным туннельным прохождением электронов через тонкий р-п переход. Наиболее ценным качеством туннельного диода является быстродействие: обычное время переключения импульсных схем на туннельных диодах составляет величину порядка 1 нсек. Описаны диоды с временем переключения порядка десятков и - даже единиц пикосекунд. [38]

Туннельные диоды по быстродействию значительно превосходят транзисторы, поэтому результирующее быстродействие при их совместном использовании определяется транзисторами. Правда, быстродействие каскада с общей базой само по себе достаточно велико, а каскады с общим эмиттером ( и тем более с общим коллектором) оказываются быстродействующими потому, что туннельный диод является низкоомным источником сигнала. Таким образом частотные возможности транзисторов при их применении с туннельными диодами используются достаточно полно. [39]

Туннельный диод - полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на использовании туннельного эффекта; туннельные диоды широко применяют для усиления и генерирования колебаний в различных схемах ( в том числе, в схемах СВЧ) и в быстродействующих импульсных переключающих схемах. Туннельный эффект возникает при контакте полупроводников, обладающих высокой концентрацией примесей ( они называются вырожденными полупроводниками), и состоит в том, что при достаточно высокой напряженности поля в р - n - переходе электроны могут переходить из зоны я-проводимости в зону р-проводимости без изменения величины энергии. [40]

Туннельные диоды в отличие от обычных изготовляются из материалов с более высокой концентрацией примесей. [41]

Схемы и условные обозначения транзисторов. [42]

Туннельный диод является сильноточным прибором. [43]

Прямоугольная характеристика намагничивания.| Зависимость между м.д.с. и временем переключения. [44]

Туннельный диод обладает очень высокой скоростью переключения. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5