Туннельный диод

Cтраница 2

Типичная зависи - Надежность электронного. [16]

Туннельные диоды и полевые транзисторы обладают большей радиационной стойкостью, чем обычные диоды и биполярные транзисторы. [17]

Туннельные диоды занимают особое место среди полупроводниковых диодов. В основу работы туннельного диода положен так называемый туннельный эффект, сущность которого состоит в явлении прохождения частиц ( в нашем случае электронов) через потенциальный барьер ( в нашем случае р - n - переход) даже тогда, когда их кинетическая энергия меньше потенциальной энергии барьера. Это явление из области квантовой механики, с точки зрения классической физики оно необъяснимо. [18]

Вольт-амперная характеристика туннельного диода. [19]

Туннельные диоды с малым пиковым током называют обращенными. [20]

Туннельные диоды представляют собой полупроводниковые диоды, изготовляемые на основе высоколегированного полупроводникового материала, вольт-амперные характеристики которых имеют при прямом включении участки отрицательной дифференциальной проводимости. [21]

Туннельный диод составляется двумя областями германия ( кремния или арсенида галия), одна из которых имеет дырочную, а другая - электронную электропроводность. [22]

Туннельные диоды на основе GaAs имеют преимущества по сравнению с Ge диодами, так как выдерживают большой интервал прикладываемых напряжений, имеют высокую колебательную производительность, высокие рабочие частоты и большие амплитуды. [23]

Туннельные диоды на основе InSb менее подходящи, так как при комнатной температуре отношение туннельного тока к нормальному диодному току мало для практического использования. Характеристика туннельного диода из InSb ( в прямом направлении) при различных температурах [1026] дана на рис. 11.306. Однако туннельные диоды на основе InSb могут хорошо работать при низких температурах. Из-за малых эффективных масс электронов и легких дырок InSb является идеальным материалом для исследования кинетических эффектов в сильных магнитных полях. [24]

Туннельный диод имеет высокоскоростные характеристики, обусловленные основными носителями тока. Однако нарушение стабильности работы таких приборов также велико. [25]

Вольтамперная характеристика туннельного диода. [26]

Туннельные диоды занимают особое место среди полупроводниковых диодов. В основу работы туннельного диода положен так называемый туннельный эффект, сущность которого состоит в явлении прохождения частиц ( в нашем случае электронов) через потенциальный барьер ( в нашем случае р-п переход) даже тогда, когда их кинетическая энергия меньше потенциальной энергии барьера. Это явление из области квантовой механики, с точки зрения классической физики оно необъяснимо. [27]

Туннельные диоды применяются в переключающих схемах вычислительных устройств и автоматики, генераторах синусоидальных и прямоугольных импульсов, малошумящих усилителях сверхвысокой частоты и пр. [28]

Схема для снятия ВАХ туннельных диодов. [29]

Туннельные диоды классифицируются по следующим параметрам. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5