Туннельный диод

Cтраница 4

Работа туннельного диода в импульсном режиме.| Вольт-амперная характеристика и условное графическое изображение обращенного диода. [46]

Туннельные диоды могут применяться в технике СВЧ, а также во многих импульсных радиоэлектронных устройствах, рассчитанных на высокое быстродействие. Помимо весьма малой инерционности достоинством туннельных диодов является их стойкость к ионизирующему излучению. Малое потребление энергии от источника питания также во многих случаях следует считать достоинством этих диодов. К сожалению, эксплуатация туннельных диодов выявила существенный их недостаток. [47]

Основные параметры некоторых туннельных диодов.| Конструкция туннельных диодов патронного ( а и таблеточного ( б. [48]

Туннельные диоды изготовляют на основе германия, арсенида галлия и других полупроводниковых материалов. [49]

Туннельные диоды являются наиболее быстродействующими из всех известных приборов. Кроме того, они в меньшей степени, чем транзисторы, чувствительны к ядерному излучению и могут работать в более широком диапазоне изменения температуры. В связи с этим использование туннельных диодов для построения импульсных и цифровых устройств весьма перспективно. [50]

Туннельные диоды обладают высоким быстродействием и имеют большие перспективы при применении их в наносекундной технике и технике СВЧ, в особенности перспективны комбинированные ( гибридные) схемы на высокочастотных транзисторах и туннельных диодах, позволяющие использовать положительные свойства сбоях типов приборов. [51]

Туннельный диод отличается от других диодов с р-п-перехо-дами высокой концентрацией примесей, благодаря чему запирающий слой у него становится очень тонким. Это приводит к появлению туннельного эффекта прохождения носителей тока через р-п-переход. [52]

Зонная модель и вольт-амперная характеристика с нагру. [53]

Туннельные диоды изготавливаются из сильно легированных кристаллов германия, кремния или арсеннда галлия. Удельное сопротивление кристаллов составляет примерно 10 - 3 ом - см. что соответствует, например, концентрации атомов примеси ( As) порядка 2 1019 см-3 в отличие от концентрации 10й - 1018 атомов As на 1 см3 в нормально легированных кристаллах. [54]

Элементы на переключателях тока. а - ИЛИ. б - И.| Пороговая схема на туннельном диоде.| Усовершенствованная пороговая схема / на туннельном диоде. [55]

Туннельный диод представляет собой двухполюсник, характеристика которого имеет участок отрицательного сопротивления. В зависимости от схемы включения он может выполнять те или иные логические функции, включая инвертирование и усиление. [56]

Туннельный диод сам по себе может использоваться для исследования свойств полупроводниковых материалов путем наблюдения их статических вольтамперных характеристик при низких температурах. Таким образом могут быть получены, в частности, некоторые подробности эотаной структуры и величины энергии фонтов. [57]

Туннельные диоды используются в схемах генераторов и усилителей диапазона СВЧ, в быстродействующих ключевых и импульсных устройствах и других схемах. [58]

Туннельный диод представляет собой полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на вольт-амперной характеристике при прямом направлении участка отрицательной дифференциальной проводимости. [59]

Конструкции туннельных диодов. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5