Германиевый туннельный диод
Cтраница 1
 |
Конструкции туннельных диодов. [1] |
Германиевые туннельные диоды оформляются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами, а арсенид-галлиевые туннельные диоды - в металлокерамическом корпусе. [2]
Германиевые туннельные диоды оформляются в металлостеклян-ном корпусе с гибкими выводами, а арсенид-галлиевые туннельные диоды - в металлокерамическом корпусе. [3]
Подобно Германиевым туннельным диодам кремниевые получаются сплавлением вырожденного легированием Sb, P или As кремния с алюминием, обогащенным бором. Необходимый уровень легирования кристалла кремния может быть достигнут или диффузией, или введением примесей в расплав. [4]
Подобно германиевым туннельным диодам кремниевые получаются сплавлением вырожденного легированием Sb, P или As кремния с алюминием, обогащенным бором. Необходимый уровень легирования кристалла кремния может быть достигнут или диффузией, или введением примесей в расплав. [5]
В германиевом туннельном диоде концентрация акцепторной примеси равна концентрации донорной примеси, причем на каждые 103 атомов германия приходится один атом примеси. [6]
В германиевом туннельном диоде при комнатной температуре ток при прямом напряжении 0 5 в составляет 5 ма. [7]
 |
Эквивалентные схемы двухтактного генератора. [8] |
Предполагается, что германиевые туннельные диоды при соответствующей технологии их изготовления могут быть использованы примерно до 10 - 12 Ггц. [9]
 |
Кривые, иллюстрирующие распределение туннельных диодов по значениям J / C. [10] |
Так, для германиевых туннельных диодов величина rs при измерениях на постоянном токе имеет порядок единиц или долей ома. [11]
Типичные значения параметров германиевых туннельных диодов ( RC - 10 - 9 сек, rs - 1 ом) требуют для выполнения равенства (7.1.26) индуктивности, меньшей 10 - 9 гн. Обычные же диоды, у которых электрический контакт с р - - переходом осуществляется тонкими проволоками, имеют индуктивности, не меньше 3 - 10 - 9 гн. [12]
Рассматриваются статические характеристики опытных германиевых туннельных диодов и их температурная зависимость. На основе кусочно-степенной аппроксимации характеристик проводится аналитический расчет переходных процессов в формирующем триггере на туннельном диоде, результаты которого хорошо согласуются с экспериментом. [13]
Рассматриваются статические характеристики опытных германиевых туннельных диодов и их температурная зависимость. На основе кусочно-степенной аппроксимации характеристик проводится аналитический расчет переходных процессов в формирующем триггере на туннельном диоде, результаты которого хорошо согласуются с экспериментом. [14]
 |
Статические характеристики германиевых туннельных диодов.| Параметры вольтамперной характеристики туннельного диода.| Связь между отношением токов /. / / 2 и напряжением минимума. / 2. [15] |
Страницы: 1 2 3 4