Германиевый туннельный диод
Cтраница 2
Были измерены параметры пятнадцати опытных германиевых туннельных диодов. [16]
В работе исследуют вольт-амперную характеристику германиевого туннельного диода ( например, типа ГИ 305 или родственных ему), теоретически и экспериментально определяют положение экстремальных точек характеристики. Проводят оценку энергии Ферми и энергии, соответствующей максимумам функции плотности распределения носителей в зонах материала туннельного диода. [17]
Практически предельной рабочей температурой для германиевых туннельных диодов является температура 200 С. Начиная уже со 100 С минимальный ток начинает резко расти и достигает значений пикового тока при 260 С. В области низких температур туннельный диод успешно работает вплоть до гелиевых температур, так как вследствие сильного вырождения уровень Ферми лежит глубоко в разрешенных зонах кристалла. [18]
На рис. 123 приведена характеристика германиевого туннельного диода. При прямом смещении наблюдается участок с отрицательным сопротивлением. При обратном смещении туннельный диод является хорошо проводящим элементом. [19]
Практически предельной рабочей температурой для германиевых туннельных диодов является температура 200 С. Начиная уже со 100 С минимальный ток начинает резко расти и достигает значений пикового тока при 260 С. [20]
Ниже будут рассмотрены основные характеристики разработанных германиевых туннельных диодов, предназначенных для работы в малошумящих входных устройствах СВЧ диапазона на частотах до 5 Ггц и в той или иной степени удовлетворяющих перечисленным выше требованиям. [21]
В статье приводятся основные характеристики германиевых туннельных диодов типа Ш102, предназначенных для работы в малошумящих входных устройствах СВЧ диапазона на частотах до 5 Ггц. Кратко описана металлокерамическая конструкция таблеточного типа, обладающая высокой жесткостью и малыми и стабильными значениями паразитных параметров, и технология изготовления СВЧ туннельных диодов с диаметрами р-п переходов 3 - 5 мк. Приведены справочные данные по электрическим характеристикам диодов: значениям параметров вольтамперной характеристики, зависимости отрицательного сопротивления, шумовой постоянной и емкости перехода от напряжения смещения, статистическому распределению для предельной частоты и сопротивления потерь различных групп диодов. Кратко обсуждается поведение туннельного диода при воздействии на него постоянной мощности и видеоимпульсов прямоугольной формы длителышетыэ 20 нсек. [22]
Ниже будут рассмотрены основные характеристики разработанных германиевых туннельных диодов, предназначенных для работы в малошумящих входных устройствах СВЧ диапазона на частотах до 5 Ггц и в той или иной степени удовлетворяющих перечисленным выше требованиям. [23]
В статье приводятся основные характеристики германиевых туннельных диодов типа Ш102, предназначенных для работы в малошумящих входных устройствах СВЧ диапазона на частотах до 5 Ггц. Кратко описана металлокерамическая конструкция таблеточного типа, обладающая высокой жесткостью и малыми и стабильными значениями паразитных параметров, и технология изготовления СВЧ туннельных диодов с диаметрами р-п переходов 3 - 5 мк. Приведены справочные данные по электрическим характеристикам диодов: значениям параметров вольтамперной характеристики, зависимости отрицательного сопротивления, шумовой постоянной и емкости перехода от напряжения смещения, статистическому распределению для предельной частоты и сопротивления потерь различных групп диодов. Кратко обсуждается поведение туннельного диода при воздействии на него постоянной мощности и видеоимпульсов прямоугольной формы длителышетыэ 20 нсек. [24]
На рис. 83 показаны типичные характеристики германиевого туннельного диода при различных температурах. Из рисунка видно, что избыточный токнесколь-ко растет с повышением температуры, но не так сильно, как тепловой, который, например, при повышении температуры с 4 до 77 К возрастает па много порядков. [25]
 |
Вольтамперные характеристики германиевого туннельного диода после облучения. [26] |
На рис. 5 приведены вольтамперные характеристики германиевого туннельного диода после различных интегральных потоков. [27]
Поэтому в схемах с максимальным быстродействием целесообразно использовать германиевые туннельные диоды. [28]
Температурный дрейф точки 2 ( по экспериментальным данным) для германиевых туннельных диодов равен по напряжению 1 мв / град и по току 0 75 % / С. [29]
Это позволило Кэди [36] построить кривые ( рис. 7.20) для германиевых туннельных диодов. [30]
Страницы: 1 2 3 4