Германиевый туннельный диод
Cтраница 4
Теория и эксперименты показывают, что из всех наиболее распространенных туннельных диодов самыми стойкими к воздействию радиации являются туннельные диоды из / 7-германия. Они вдвое более стойки, чем диоды из n - германия. Диоды из арсенида галлия несколько уступают по стойкости германиевым туннельным диодам. [46]
 |
Электронный ключ на разно-полярных транзисторах и туннельных диодах. [47] |
Туннельный диод ТД2 выбирается с малым током максимума. TI и Т2 заперты, через туннельный диод ТД2 ток не течет. Даже если это требование выполнено, туннельный диод во время всего процесса разряда конденсатора находится в состоянии высокого напряжения за счет части тока разряда, протекающего через переход эмиттер-коллектор транзистора TI. При использовании в схеме ключа разнополярных транзисторов 7 типа П416, Т2 типа МП103, туннельного диода ТД из арсени-да галлия с током максимума 2 ма, германиевого туннельного диода ТД2 с током максимума 2 ма, разряд конденсатора Ci 0 5 мкф, заряженного до напряжения 10 в, и запирание ключа происходит за 5 - 7 мксек. [48]
В конечном счете быстродействие туннельного диода определяется произведением отрицательного сопротивления на емкость перехода. Отрицательное сопротивление, как известно, определяется наклоном в. Наклон характеристики на участке отрицательного сопротивления обусловлен вероятностью туннельного эффекта, плотностью квантовых состояний и положением уровня Ферми в обеих зонах. Соммерсом [9] были проведены измерения, показывающие степень влияния концентрации примесей на величину отрицательного сопротивления R и постоянную времени RnC0 для германиевых туннельных диодов. [49]
В конечном счете быстродействие туннельного диода определяется произведением отрицательного сопротивления на емкость перехода. Отрицательное сопротивление, как известно, определяется наклоном вольтамлерной характеристики в рабочей точке. Наклон характеристики на участке отрицательного сопротивления обусловлен вероятностью туннельного эффекта, плотностью квантовых состояний и положением уровня Ферми в обеих зонах. Сомме рсом [9] были проведены измерения, показывающие степень влияния концентрации примесей на величину отрицательного сопротивления Rn и постоянную времени RnC0 для германиевых туннельных диодов. [50]
Страницы: 1 2 3 4