Германиевый туннельный диод

Cтраница 3

В настоящей работе приводятся результаты исследования отрицательного сопротивления и экстремальных точек вольтамперной характеристики германиевых туннельных диодов в диапазоне температур от - 60 до 70 С. [31]

Прибор в режиме генератора перепадов при подаче на его вход запускающего импульса осуществляет формирование положительного или отрицательного импульса с малым временем нарастания ( 0 15 не) с помощью быстродействующих германиевых туннельных диодов. [32]

Кривая зависимости плотности туннельного тока от положительного смещения, приложенного к электроду. [33]

Сравнивая характеристику туннельного тока рис. V.14 с вольтамперной характеристикой реального туннельного диода ( рис. V.10), отметим, что рассмотренная нами модель дала возможность достаточно точно определить положение максимума и минимума тока относительно оси напряжений для случая германиевого туннельного диода. [34]

Усилительные туннельные диоды должны иметь высокие предельные частоты и малый уровень собственных шумов. С точки зрения шумов германиевые туннельные диоды имеют преимущества по сравнению с арсенид-галлиевыми. Но в тех случаях, когда шумы не имеют первостепенного значения, предпочтение иногда отдают туннельным диодам из арсенида галлия из-за их более широкого динамического диапазона. В последнее время разработаны туннельные диоды из антимонида галлия, имеющие меньший уровень шумов по сравнению с германиевыми. Такие туннельные диоды целесообразно использовать в приемно-усилительных устройствах свч. [35]

Параметры усилительных диодов. [36]

Эти формулы получены для усилителя, работающего на отражение, при условии Y 1 - Из последних двух формул следует, что усилительные диоды должны иметь высокие предельные частоты, по крайней мере в 2 - 3 раза превышающие рабочую частоту, и малый шумовой коэффициент Л / ш, Соотношение rJR g 1, как правило, имеет место для всех усилительных диодов, выпускаемых промышленностью. С точки зрения шумов германиевые туннельные диоды имеют преимущества по сравнению с арсенидо-галлиевыми, поскольку у последних Nm в полтора раза больше. Но в тех случаях, когда шумы не имеют первостепенного значения, предпочтение иногда отдают диодам из арсенида галлия из-за их более широкого динамического диапазона. [37]

Волътамперные характеристики туннельных диодов, изготовленных из различных полупроводников. [38]

Диоды из антимонида галлия ( GaSb) обладают наименьшим уровнем шумов и применяются в приемно-усилительных устройствах СВЧ диапазона. Однако самыми распространенными являются все же германиевые туннельные диоды. [39]

Наличие падающего участка ( участка отрицательного сопротивления) вольтампернои характеристики свидетельствовало о том, что этот прибор может быть использован для усиления и генерирования колебаний и в качестве прибора с двумя устойчивыми состояниями. Общий вид прямой ветви вольтампернои характеристики германиевого туннельного диода приведен на рис. V.10. Можно заметить, что при использовании падающего участка вольт-амперной характеристики вся область рабочих напряжений не будет превышать 0 5 в. Таким образом, туннельный диод представляет собой прибор, работающий при очень малых значениях напряжения источников питания. [40]

Соотношения (3.13), ( ЗЛ6) накладывают условия на выбор пары туннельный диод - транзистор. С этой точки зрения наиболее подходящими парами являются следующие: германиевый туннельный диод - германиевый транзистор или арсенидо-галлиевый туннельный диод - кремниевый транзистор. Могут быть применены и другие комбинации, но, как правило, они требуют дополнительных смещающих напряжений, что усложняет схему. [41]

Схемы зажигания с туннельными диодами. [42]

Цепи поджигания с туннельными диодами широко применяются в устройствах, ограничивающих ток в каких-либо цепях, где желательно иметь минимальное значение падения напряжения на сопротивлении, обтекаемом рабочим током. Зажигание КУВ происходит, когда это напряжение достигнет критической величины, которая составляет около 60 мв для германиевых туннельных диодов и 160 мв для туннельных диодов из арсенида галлия. Эти значения напряжения весьма мало зависят от температуры; температурный коэффициент равен 0 08 мв / град для германия и 0 12 мв / град для арсенида галлия. [43]

Структура энергетических зон арсенида галлия п-типа. [44]

Широкая запрещенная зона обусловливает и большую их термостабильность. Германиевые туннельные диоды имеют меньший уровень собственных шумов, что важно для использования в схемах усилителей. [45]

Страницы: 1 2 3 4