Внутрисхемное соединение

Cтраница 1

Внутрисхемные соединения в МДП-ИМС могут выполняться с помощью металлизации или путем формирования диффузионных областей. Применение диффузионных межсоединений позволяет относительно просто реализовать пересечения проводников в МДП-ИМС и наиболее полно использовать площадь кристалла. При этом следует учитывать влияние паразитных сопротивлений диффузионных межсоединений. При соединении диффузионных областей последовательно с затворами транзисторов наличие паразитных сопротивлений Кд приводит только к задержке управляющих сигналов, поступающих на транзисторы. Поскольку входные сопротивления транзисторов велики ( RB RA), амплитуда сигналов не искажается. В частности, последовательное сопротивление Кд в цепи вызывает уменьшение эффективной крутизны транзистора, что приводит к ухудшению как статических, так и динамических характеристик схемы. [1]

Внутрисхемные соединения между напыленными на кристаллы контактными площадками микросхемы и выводами ее корпуса выполняют проволочными перемычками, в качестве которых используют медные и золотые микропровода толщиной от 8 до 60 мкм или осуществляют беспроволочный монтаж. К беспроволочному монтажу относятся подсоединение кристаллов с выводами, сборка на рамке, ленте или гибком носителе. [2]

Внутрисхемные соединения получают металлизацией поверхности двуокиси кремния. При таком методе на пластине размерами 1 X1 мм удается разместить до 4 транзисторов и 5 резисторов, образующих законченную электрическую схему. Для изготовления монолитных схем применяется та же технология, что и для изготовления отдельных полупроводниковых приборов, причем изготовление резисторов и конденсаторов наряду с активными элементами не вызывает значительного увеличения количества технологических операций. Стоимость основных исходных материалов как в том, так и в другом случае получается одинаковой, так как на одной кремниевой пластине с размером 0 25 - 0 5 мм можно разместить как отдельный полупроводниковый прибор, так и целую схему: уменьшение размеров пластин существенно усложняет сборку. В силу перечисленных причин стоимость монолитной схемы, выполняющей в аппарате законченную функцию, оказывается примерно такой же, как и стоимость отдельного полупроводникового прибора. Одной из важнейших причин, обеспечивающих широкое развитие монолитных схем, является увеличение надежности аппаратуры. [3]

Внутрисхемные соединения получают металлизацией поверхности двуокиси кремния. При таком методе на пластине размерами 1X1 мм удается разместить до 4 транзисторов и 5 резисторов, образующих законченную электрическую схему. Для изготовления монолитных схем применяется та же технология, что и для изготовления отдельных полупроводниковых приборов, причем изготовление резисторов и конденсаторов наряду с активными элементами не вызывает значительного увеличения количества технологических операций. Стоимость основных исходных материалов как в том, так и в другом случае получается одинаковой, так как на одной кремниевой пластине с размером 0 25 - 0 5 мм можно разместить как отдельный полупроводниковый прибор, так и целую схему: уменьшение размеров пластин существенно усложняет сборку. В силу перечисленных причин стоимость монолитной схемы, выполняющей в аппарате законченную функцию, оказывается примерно такой же, как и стоимость отдельного полупроводникового прибора. Одной из важнейших причин, обеспечивающих широкое развитие монолитных схем, является увеличение надежности аппаратуры. [4]

Для внутрисхемных соединений следует no - возможности использовать свободные от внешних выводов проводники. Крайние микроэлементы должны быть обращены во внутрь микромодуля. Если это не представляется возможным, то после крайнего элемента устанавливают свободную микроплату. [5]

В качестве внутрисхемных соединений в интегральных микросхемах используют металлическую рлзводку и высоколегированные диффузионные области, которые изготовляют одновременно с формированием областей истока и стока. [6]

Интегральная микросхема усилителя на биполярных транзисторах. а принципиальная электрическая схема. б топология. [7]

В качестве внутрисхемных соединений часто используют диффузионные высоколегированные слои. [8]

В пленарных структурах микросхем внутрисхемные соединения выполняют с помощью тонких металлических пленок, наносимых на изолирующий слой двуокиси кремния. Процесс создания внутрисхемных соединений называется металлизацией. Тонкая металлическая пленка, которая используется в качестве проводников внутрисхемной коммутации, должна обладать следующими свойствами: обеспечивать невьщрямляющий контакт с полупроводником, иметь хорошую адгезию с кремнием и двуокисью кремния и низкое удельное сопротивление, давать возможность присоединения выводов микросхемы. [9]

Материалы контактных площадок и внутрисхемных соединений должны обеспечивать величину поверхностного сопротивления не выше 0 04 Ом / Q. Это означает, что металл должен иметь удельное сопротивление 4 - Ю 8 Ом-см или меньше для пленок толщиной в 1 мкм. [10]

Причины брака транзисторных структур. [11]

Для формирования выводов и внутрисхемных соединений на поверхность пластины кремния, покрытую слоем окиси кремния, имеющим в нужных местах окна, напыляется пленка алюминия. Она образует нужные внутрисхемные соединения и контактные площадки для присоединения внешних выводов. После металлизации удаляется лишний металл и получается требуемая форма контактных площадок. [12]

Конструкция полупроводниковых ИМС позволяет резко сократить внутрисхемные соединения ( до 80 %) и сравнительно просто решить вопросы отвода тепла. [13]

Основная идея алгоритма минимизации числа пересечений внутрисхемных соединений заключается в следующем. [14]

С помощью фотолитографии с последующим травлением получают внутрисхемные соединения. [15]

Страницы: 1 2 3 4