Внутрисхемное соединение
Cтраница 3
Метод стандартных ячеек основан на использовании библиотеки топологических решений для предварительного размещения набора ячеек в виде регулярных полос, разделенных свободными зонами для последующего выполнения внутрисхемных соединений. Эти соединения, определяющие функциональные возможности БИС, создаются в соответствии с заданной заказчиком электрической схемой на заключительном этапе проектирования. [31]
Основными элементами физической структуры являются полупроводниковые приборы ( см. книгу 1), используемые в качестве активных и пассивных компонентов ИМС, средства изоляции компонентов, внутрисхемные соединения и подложки, служащие механическим основанием ИМС. [32]
Поскольку МДП-интегральные ( Микросхемы ( могут быть реализованы только на транзисторах, соединенных между собой согласно принципиальной электрической схеме, ограничимся рассмотрением технологии изготовления самих транзисторов и внутрисхемных соединений. Рассмотрим последовательность изготовления наиболее часто встречающихся интегральных микросхем на транзисторах с индуцированным каналом р-типа проводимости и на транзисторах с. [33]
В общем случае решения этой проблемы пригоден метод, заключающийся в переборе различных вариантов разбиений и выборе наилучшего из них по критерию максимальной величины коэффициента интеграции, определяемого как отношение общего числа внутрисхемных соединений и выводов к общему числу внешних выводов при данном разбиении. [34]
 |
Способ фотолитографии. [35] |
Эта пленка ( временно) служит защитным покрытием отдельных участков кристалла при проведении локальной диффузии примесей, такая же пленка предохраняет готовую схему от внешних воздействий и служит основанием для пленочных пассивных элементов и внутрисхемных соединений. Кроме того, кремний по сравнению с германием имеет меньшие обратные токи р-п переходов. [36]
Уменьшение топологических размеров элементов приводит к улучшению электрических параметров микросхем, в частности к повышению быстродействия из-за снижения паразитных емкостей р - п переходов, увеличению крутизны полевых транзисторов и др. Однако и здесь ограничивающим фактором являются внутрисхемные соединения, задержка сигнала в которых не позволяет полностью использовать достигаемое высокое быстродействие элементов. [37]
Планарно-эпитаксиальная технология производства биполярной ИС ( рис. 2.1) включает формирование скрытого л - слоя в подложке, наращивание эпитакси-ального слоя л-типа, формирование изолирующих областей Р - ТИПЗ, формирование базовой ( р) и эмиттерной () областей и, наконец, создание металлических пленочных внутрисхемных соединений. [38]
Компонентами ненадежности будем считать составные части аппаратуры на основе ИС, выделенные с таким расчетом, чтобы обладать определенной технологической независимостью и допускать изготовление с помощью вполне определенной, достаточно замкнутой последовательности технологических операций: 1) термокомпрессионные внутрисхемные контакты; 2) сварные внутрисхемные контакты; 3) сварные или паяные внешние контакты с печатной платой; золотые или алюминиевые проводники, используемые при внутрисхемных соединениях с выводами корпуса; 4) внутрисхемный монтаж ( металлизация); 5) состояние поверхности ( качество обработки, защита) подложки ИС; 6) герметичность корпуса ИС; 7) целостность и однородность подложки; 8) дефекты в твердом теле. Первые шесть компонентов ненадежности обусловливают появление катастрофических отказов аппаратуры. Отказы, связанные с каждым из этих шести компонентов, можно считать практически не зависящими друг от друга. [39]
Для формирования выводов и внутрисхемных соединений на поверхность пластины кремния, покрытую слоем окиси кремния, имеющим в нужных местах окна, напыляется пленка алюминия. Она образует нужные внутрисхемные соединения и контактные площадки для присоединения внешних выводов. После металлизации удаляется лишний металл и получается требуемая форма контактных площадок. [40]
Первой задачей микроэлектроники является создание максимально надежных электронных схем и устройств. Минимальное количество внутрисхемных соединений дает возможность резко повысить надежность микроэлектронной аппаратуры. Именно этим преодолеваются сложные противоречия между возросшими требованиями к надежности электронной аппаратуры и ее стремительным усложнением. [41]
В пленарных структурах микросхем внутрисхемные соединения выполняют с помощью тонких металлических пленок, наносимых на изолирующий слой двуокиси кремния. Процесс создания внутрисхемных соединений называется металлизацией. Тонкая металлическая пленка, которая используется в качестве проводников внутрисхемной коммутации, должна обладать следующими свойствами: обеспечивать невьщрямляющий контакт с полупроводником, иметь хорошую адгезию с кремнием и двуокисью кремния и низкое удельное сопротивление, давать возможность присоединения выводов микросхемы. [42]
Первой задачей микроэлектроники является создание максимально надежных электронных схем и устройств. Минимальное количество внутрисхемных соединений дает возможность резко повысить надежность микроэлектронной аппаратуры. Именно этим преодолеваются сложные противоречия между возросшими требованиями к надежности электронной аппаратуры и ее стремительным усложнением. [43]
 |
Схема электрическая принципиальная полупроводниковой ИС - логического элемента со сложным инвертором. [44] |
Для образования омических контактов металл-полупроводник через окна фотошаблона наносится слой алюминия методом термического испарения в вакууме. Для образования внутрисхемных соединений между элементами данной ИС удаляют методом фотогравировки алюминий между контактами, соединяющими эти элементы. [45]
Страницы: 1 2 3 4