Внутрисхемное соединение

Cтраница 2

Шероховатость поверхности также оказывает влияние при формировании внутрисхемных соединений компонентов микросхем. Электролитическое осаждение, например, применяется при изготовлении запоминающих устройств с печатным монтажом или для увеличения толщины напыленных металлических пленок. [16]

Изготовление ИМС завершается напылением верхних электродов конденсаторов и внутрисхемных соединений. Такая технология позволяет использовать один материал для резисторов и конденсаторов, что приводит к простоте, надежности и экономичности, осуществить доводку компонентов до номинальных значений параметров, а также повысить стойкость и надежность тонкопленочной схемы благодаря защитному слою пяти-окиси тантала, достигнуть высокой номинальной мощности, получить схемы с высокой плотностью компонентов. [17]

В большинстве практических программ, разработанных для выполнения внутрисхемных соединений, используют различные модификации алгоритма Ли. Как правило, для решения этих программ требуются значительные затраты машинного времени. Например, для расчета схемы с числом элементов не более 15 на ЭВМ с быстродействием ( Зч-5) - 104 операций в секунду затрачивается до 3 ч машинного времени. Поэтому одной из основных проблем при выполнении внутрисхемных соединений является создание высокоэффективных вычислительных средств. [18]

При проектировании топологии микромодульной аппаратуры часто необходимо определять число пересечений внутрисхемных соединений, производить их минимизацию, если указанное число больше допустимого уровня, разбивать схему на пленарные подсхемы, а также решать ряд других вопросов. [19]

Интегральные логические схемы данного класса обладают следующими преимуществами: отсутствием металлизации внутрисхемных соединений, используемой для соединения отдельных инверторов в схему логического вентиля; реализацией на одном кристалле как вентилей И - НЕ, так и ИЛИ - НЕ путем изменения топологии; отсутствием изоляции между элементами. Перечисленные преимущества значительно расширяют функциональные возможности логических схем с инжекционным питанием. [20]

Эта задача решается путем исключения нерациональных технологических операций, сокращения числа внутрисхемных соединений, исключения раздельной герметизации отдельных элементов. Снижение стоимости интегральных микросхем по сравнению со стоимостью аналогичных схем на дискретных элементах происходит из-за сокращения количества сборочных операций и из-за комплексного изготовления различных элементов электронной схемы в едином технологическом цикле. Эти преимущества интегральных микросхем становятся более значительными по мере усложнения интегральных микросхем и возрастания в них количества элементов. [21]

Групповая технология изготовления применяется вплоть до завершения формирования элементов микросхемы и выполнения внутрисхемных соединений. Благодаря этому осуществляется автоматизированное массовое производство. Даже при сравнительно небольшом проценте выхода годных микросхем ( порядка 10 - 20 %) стоимость их достаточно низкая. Дальнейший процесс изготовления микросхем, заключающийся в оборке, монтаже в корпус и герметизации, носит индивидуальный характер для каждой-микросхемы. [22]

Достоинства БИС с инжекционным питанием заключаются в минимальном числе элементов и малом числе внутрисхемных соединений ( по сравнению с обычными логическими схемами на биполярных транзисторах), а также в меньшем числе необходимых технологических операций. На этих схемах могут строиться БИС ЗУ для миниатюрных ЭВМ с низким и средним быстродействием. [23]

На этом этапе решаются следующие задачи: размещение компонентов на полупроводниковой пластине; проведение внутрисхемных соединений; разложение общей топологии на отдельные слои; выполнение комплекта фотооригиналов эмульсионных или рабочих фотошаблонов в зависимости от имеющихся исполнительных устройств. [24]

По сравле-нию с гибридными пленочными схемами пленочные ИС не должны содержать навесных элементов и сварных внутрисхемных соединений и поэтому они должны обладать повышенной надежностью и меньшей трудоемкостью шри изготовлении. [25]

Разработка топологии ИС включает в себя решения ряда взаимосвязанных задач: размещения компонентов, проведения внутрисхемных соединений и создания конструкторской документации для изготовления фотошаблонов. Последняя задача часто сводится к получению информации на машинных носителях для программно-управляемого оборудования, предназначенного для изготовления фотошаблонов. [26]

Использование элементов графического преобразования осуществляют перекладыванием ребер графа до тех пор, пока число пересечений внутрисхемных соединений не будет сведено к минимуму. При этом одновременно решают задачу взаимного расположения элементов и соединений с учетом равномерного распределения мощности рассеяния, равномерного расположения периферийных контактных площадок и кратчайшего пути прохождения электрических сигналов. [27]

Конструкция полупроводниковых БИС определяется типом используемых активных элементов и их структурой, числом уровней и методом создания системы внутрисхемных соединений, а также типом корпуса. [28]

Последовательность форми схемы, изготовляемой по планарно. [29]

На рис. 3.17 показана последовательность формирования структуры простой интегральной микросхемы ( рис. ЗЛ7а), содержащей транзистор, диод, резистор, конденсатор и внутрисхемные соединения, с помощью планарно-эпита-кеиальной технологии. [30]

Страницы: 1 2 3 4