Cтраница 4
Например, для расчета схемы с количеством элементов не более 15 на ЭВМ с быстродействием ( 3 - - 5) - 104 операций в секунду затрачивается до 3 ч машинного времени. Поэтому одной из основных проблем при выполнении внутрисхемных соединений является создание высокоэффективных вычислительных средств. [46]
Основные причины появления помех, определяемых конструктивными особенностями реализации внутрисхемных соединений - искажение и задержки сигналов при прохождении по электрически длинным цепям, перекрестные наводки. Проблема помехоустойчивости межэлемнтных соединений решается и на этапе размещения, и на этапе проведения межсоединений введением соответствующих критериев отпимизации и ряда ограничений. [47]
Уменьшение размеров элементов до указанных значений вызывает процессы деградации структуры кристалла вследствие повышения плотности тока, напряженности электрических полей и плотности выделяемой энергии. Особую проблему при использовании элементов малых размеров представляет формирование надежных внутрисхемных соединений. Их поперечное сечение уменьшается, а плотность тока растет. Это может приводить к разрушению проводников, расположенных на рельефной ( не идеально плоской) поверхности, к коротким замыканиям проводников, сформированных в разных слоях друг над другом, вследствие пробоя или нарушения разделяющего их тонкого диэлектрического слоя. [48]
В качестве элементов конструкции здесь понимают весь набор элементов, определяющих и обусловливающих выполнение ИМС требуемой функции в определенных условиях эксплуатации. К ним относятся: транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы, внутрисхемные соединения, элементы корпуса, внешние выводы и др., для которых известны количественные показатели надежности. [49]
Следует отметить, что задача размещения элементов и трассировки на сегодняшний день не имеет совместного решения. Поэтому на практике сначала размещают элементы таким образом, чтобы облегчить последующую трассировку, а затем выполняют внутрисхемные соединения. [50]
Изготовление ГИМ состоит из двух основных технологических процессов. Сначала на диэлектрической подложке с помощью толсто - или тонкопленочной технологии создают пассивные пленочные элементы ( резисторы и конденсаторы), контактные площадки и внутрисхемные соединения. Затем устанавливают навесные элементы и подсоединяют их выводы к контактным площадкам. [51]
В пленочных и полупроводниковых микросхемах широко используются различные металлы и сплавы, у которых стабильность электрических характеристик сочетается со стойкостью их к химической и электрохимической коррозии. Для проводников и контактов используются металлы с высокой электрической проводимостью: золото, серебро, медь и алюминий, причем последний чаще всего для внутрисхемных соединений. [52]
Используя только один вид технологии, создать микросхемы, реализующие сложные функции, бывает затруднительно. Поэтому даже в производстве монолитных кремниевых микросхем, изготовляемых в основном по полупроводниковой технологии, применяют методы, характерные для пленочных микросхем, например, вакуумное осаждение алюминия для получения внутрисхемных соединений. Еще в большей степени эта взаимосвязь проявляется при производстве гибридных интегральных схем, изготавливаемых по совмещенной технологии. [53]
Как уже отмечалось, основным элементом полупроводниковых интегральных микросхем является транзистор типа п-р - п е равномерным распределением примеси в коллекторе, а остальные элементы изготовляются на базе данной транзисторной структуры. Поэтому технологический процесс изготовления микросхемы сводится к формированию в пластине кремния транзисторных структур в количестве, необходимом для реализации всех активных и пассивных элементов, к обеспечению изоляции между элементами и созданию внутрисхемных соединений. [54]