Полупроводниковое соединение

Cтраница 1

Полупроводниковые соединения могут обладать самыми разнообразными электрофизическими свойствами. Рассмотрим наиболее важные для электротехники материалы. [1]

Полупроводниковые соединения, например многие неорганические н некоторые органические соединения. Хорошо известны неорганические полупроводники типа АШВЧ. [2]

Полупроводниковые соединения, как говорилось выше, условно относят к фазам, имеющим постоянный состав. В действительности их состав переменный, ограниченный областью гомогенности. Внутри последней может находиться и стехиометрический состав, выражаемый формульным отношением компонентов соединения. Отклонение от сте-хиометрического состава чаще всего является результатом возникновения в кристалле соединения различных парных точечных дефектов структуры - вакансий по Шоттки ( Ул и Vs), междоузельноги разупо-рядочения ( At и В) и антиструктурных дефектов ( Ав и B. Комбинирование этих дефектов приводит к образованию других типов дефектов структуры, из которых наиболее распространенны1: является парный дефект по Френкелю: VA BI, или Vs Ai. Так как энергия образования различных дефектов различна, то с термодинамических позиций образование соединения строго стехиометрического состава маловероятно. [3]

Схема диаграммы состо - 72 С примеси в твердой фазе Na яния системы германий - примесь будет значительно меньше, чем. [4]

Полупроводниковые соединения, которые имеют большую ширину запрещенной зоны, применяют в приборах, работающих при высоких температурах. [5]

Полупроводниковые соединения, например GaAs, состоящие из атомов различных типов, можно рассматривать как набор электрических диполей, которые могут участвовать в поглощении энергии-электромагнитного поля. Спектр так называемого решеточного поглощения характеризуется рядом пиков поглощения, которые обычно-накладываются на поглощение свободными носителями. В гомеопо-лярных полупроводниках, например Ge и Si, электрических диполей нет, однако спектры решеточного поглощения в них наблюдаются. Предполагается, что излучение индуцирует диполь, который поглощает излучение с образованием фононов. [6]

Зависимость термоэлектрической добротности материалов я-типа от температуры. [7]

Полупроводниковые соединения характеризуются определенной структурой и химическими связями. Поэтому каждому типу термоэлектрического материала соответствует определенный интервал рабочих температур. [8]

Полупроводниковые соединения по таким показателям, как быстродействие, потребляемая мощность, теплопроводность, ширина запрещенной зоны, радиационная стойкость и некоторые другие, превосходят кремний. Они являются перспективными материалами для создания новых поколений интегральных схем для вычислительной техники и электронных систем военного назначения. [9]

Полупроводниковые соединения, такие иодид свинца ( РЬ), дисульфид молибдена ( MoS2) и селенид галлия ( GaSe), характеризуются своей слоистой кристаллической структурой. Внутри слоев они обычно имеют ковалентные связи, значительно более сильные, чем дер ваальсовские связи между слоями. Слоистые полупроводники представляют интерес, поскольку поведение электронов в слоях является квази-двумерным. Кроме того, взаимодействие между слоями можно изменять путем введения между ними посторонних атомов, что называется интеркаляцией. [10]

Полупроводниковые соединения получают разными способами: из расплава, содержащего элементы Б равных атомных концентрациях ( стехиометрического расплава); из раствора соединения элемента III группы, содержащегося в избытке, из газообразной фазы и в результате химических реакций. Последними двумя методами получают небольшие кристаллы. Все антимониды, арсениды галлия и индия получают обычно из стехиометрических расплавов. [11]

Спектральная чувствительность селенового фотоэлемента. [12]

Полупроводниковые соединения могут обладать самыми разнообразными электрофизическими свойствами, в ряде случаев превосходящими свойства простых полупроводников. Рассмотрим наиболее важные для электротехники материалы. [13]

Полупроводниковые соединения могут обладать самыми разнообразными электрофизическими свойствами. Рассмотрим наиболее важные для электротехники материалы. [14]

Полупроводниковые соединения получают разными способами: из расплава, содержащего элементы в равных атомных концентрациях ( стехиометрического расплава); из раствора соединения элемента III группы, содержащегося в избытке, из газообразной фазы и в результате химических реакций. Последними двумя методами получают небольшие кристаллы. Все антимониды, арсениды галлия и индия получают обычно из стехиометрических расплавов. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5