Полупроводниковое соединение

Cтраница 4

Для полупроводниковых соединений AUIBV в качестве доноров используют элементы шестой группы: S, Se, Те, а в качестве акцепторов - элементы второй группы: Zn, Cd, Mg, Be. Элементы четвертой группы - Ge, Si, Sn, Pb в этих соединениях являются амфо-тернымн - их поведение зависит от концентрации. [46]

Кристаллы полупроводниковых соединений A BVI травят в травителях примерно тех же составов, что и соединения A BV, но в силу большей степени ионности связей в этих соединениях достигнуть эффекта полировки поверхности практически не удается. [47]

Для полупроводниковых соединений AII ] BV и твердых растворов на их основе в процессе электрожидкофазной эпитаксии обычно используют плотности тока порядка 10 А / см2, что приводит к изменению теплового баланса на фронте кристаллизации около 1 Дж / ( см2 - с) и температуры в пределах 0 1 - 1 0 С. Применение таких плотностей тока к одиночным подложкам малой площади не вызывает особых затруднений. Однако в массовом производстве, где суммарная площадь используемых в одном процессе подложек составляет сотни квадратных сантиметров, применение таких плотностей тока вызовет необходимость применять токи в тысячи ампер, что существенно осложнит аппаратурное оформление процесса электрожидкофазной эпитаксии. [48]

Зависимость подвижности ц носителей в растворах прямозонных полупроводников GaTIni tAs от концентрации компонентов ( х. [49]

Получение особо чистых полупроводниковых соединений осуществляют, применяя для их синтеза очищенные компоненты. Синтез соединений, имеющих большое давление паров летучего компонента над расплавом, осуществляют в камерах высокого давления. Часто синтез совмещают с последующей дополнит, очисткой соединения путем направленной или зонной кристаллизации расплава. Направленную кристаллизацию осуществляют перемещением контейнера с расплавом в область ( зону) с градиентом темп-ры. При зонной плавке расплавленная зона перемещается вдоль кристалла. [50]

Некоторые свойства сульфидов и окислов. [51]

Среди различных полупроводниковых соединений рассмотрим некоторое сульфиды и окислы, нашедшие наиболее широкое техническое применение. [52]

Из полупроводниковых соединений щелочных металлов с элементами V группы лучше других исследованы соединения цезия. В частности, антимониды цезия используются как фотокатоды. [53]

Перенос и кристаллизация ве - SiCL ( газ-носитель ВОДОРОД щества при помощи транспортирующего и Ловила бооа из ВС1 и Лос. [54]

Для полупроводниковых соединений метод термического разложения исходных более сложных веществ используется реже. Его при - меняют, когда экспериментально трудно осуществить прямой синтез соединения из элементов. [55]

В полупроводниковых соединениях, например AUIBV ( InSb, GaSb, InAs), обычно примесные атомы замещения II группы ( Mg, Zn), имеющие меньшую валентность, являются акцепторами, а примесные атомы VI группы ( Se, Те), обладающие большей валентностью, - донорами. Примесные атомы IV группы в полупроводниковых соединениях AI ( IBV могут быть и донорами и акцепторами, в зависимости от того, какой атом соединения замещается примесным атомом. Если, например, примесный четырехвалентный атом замещает в решетке InAs трехвалентный атом In, то он будет донором, а если пятивалентный атом As, то - акцептором. Соотношения между размерами атомов играют большую роль в результатах замещения. Так, например, если примесный атом РЬ, имеющий сравнительно большие размеры, замещает в решетке InSb атом In, то он ведет себя как донор, а попадая в решетку AlSb и занимая место атома Sb, он является акцептором. [56]

В полупроводниковых соединениях избыточные по отношению к стехиометрическому составу атомы тех самых элементов, из которых построена основная решетка, занимающие неправильные положения, являются либо донорами, либо акцепторами в зависимости от того, какой из атомов соединения оказывается нарушителем. Так, если полупроводник представляет собой соединение металла и металлоида ( окислы, сульфиды и др.), то избыток атомов металла ( по отношению к стехиометрическому составу) создает в полупроводнике электронную проводимость, избыток же атомов металлоида - дырочную проводимость. [57]

В полупроводниковых соединениях А В р-типа поглощение свободными носителями тока в большинстве случаев не зависит от длины волны из-за переходов между зонами Kt и V2 в валентной зоне. [58]

В полупроводниковых соединениях электроны, поглощая излучение, переходят из связанного состояния в валентной зоне в свободное состояние в зону проводимости. Для фотопроводимости имеют значение как свободные электроны, так и положительные дырки в валентной зоне. [59]

В полупроводниковых соединениях, например AIUBV ( InSb, GaSb, InAs), обычно примесные атомы замещения II группы ( Mg, Zn), имеющие меньшую валентность, являются акцепторами, а примесные атомы VI группы ( Se, Те), обладающие большей валентностью, - донорами. Примесные атомы IV группы в полупроводниковых соединениях AH1BV могут быть и донорами и акцепторами, в зависимости от того, какой атом соединения замещается примесным атомом. Если, например, примесный четырехвалентный атом замещает в решетке InAs трехвалентный атом In, то он будет донором, а если пятивалентный атом As, то - акцептором. Соотношения между размерами атомов играют большую роль в результатах замещения. Так, например, если примесный атом РЬ, имеющий сравнительно большие размеры, замещает в решетке InSb атом In, то он ведет себя как донор, а попадая в решетку AlSb и занимая место атома Sb, он является акцептором. Замещение элементов, входящих в состав полупроводниковых соединений, другими из тех же групп периодической системы ( III и V) не вызывает заметного изменения удельной проводимости этих полупроводников. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5