Полупроводниковое соединение

Cтраница 2

Полупроводниковые соединения очень часто содержат летучий компонент ( или компоненты), что предопределяет разложение соединения при нагреве на конденсированный продукт ( жидкий или твердый) и газообразный. [16]

Полупроводниковые соединения часто содержат летучий компонент ( или компоненты), что предопределяет разложение соединения при нагреве на конденсированный продукт ( жидкий или твердый) и газообразный. Образовавшийся расплав представляет собой раствор, обогащенный металлическим компонентом. Однако термическую диссоциацию соединения можно предотвратить, создавая в закрытой реакционной системе противодавление летучего компонента. Величина такого противодавления определяется только на основе полной Р - Т - - диаграммы состояния. [17]

Полупроводниковые соединения в отличие от атомарных полупроводников ( германий, кремний, селен) являются полупроводниками сложного состава. Особый интерес вызывают соединения, образованные элементами III и V групп периодической системы Менделеева. [18]

Полупроводниковые соединения обычно имеют высокое давление пара легколетучего компонента при температурах диффузии, поэтому методами селективной эпитаксии из них можно получать многослойные структуры необходимой конфигурации с заранее определенными свойствами. [20]

Полупроводниковые соединения AUI Bv являются ближайшими аналогами кремния и германия. Соединения AUIBV принято М сЩЩкроМп т металлшд. Соответственно различают нитриды, фосфиды, арсениды и антимониды. Получают эти соединения или из-раегошва, который содержит элементы в равных атомных концентрациях, или из раствора соединения, имеющего в избытке элементы III группы, а также из газовой фазы. Кристаллы антимонидов, арсенидов галлия и индия обычно выращивают из расплава вытягиванием на затравку из-под инертного флюса. Слой жидкого прозрачного флюса, находящегося под давлением инертного газа, обеспечивает полную герметизацию тигля и подавляет испарение летучего компонента из расплава. Монокристаллы, полученные из расплава, обладают недостаточно высокой химической чистотой. Для очистки используются те же методы, что и для очистки германия и кремния. [21]

Полупроводниковые соединения ATIIBV состоят из элементов группы Illb: В, Al, Ga, In, Те и группы Vb: N, P, As, Sb, Bi. В системах Ilia - Va, Ilia - Vb и Illb - Va существует лишь небольшое число соединений; эти соединения имеют структуру NaCl, а их свойства практически не изучены. [22]

Полупроводниковые соединения AmBv образуют гомологический ряд, в котором наблюдается закономерное изменение многих свойств при изменении номеров атомов компонентов. [23]

Температурная зависимость дрейфовой подвижности электронов в.| Температурная зависимость дрейфовой подвижности дырок в HgI2.| Электрофизические свойства карбида бора В4С. [24]

Полупроводниковые соединения III и VI групп обладают стехиометрическим составом двух типов: ЛШВУ1 и ЛгшВзУ1 и имеют много кристаллических модификаций. [25]

Диаграмма состояния системы Ga - Р. [26]

Полупроводниковые соединения АШВУ образуются в результате взаимодействия элементов III и V групп Периодической системы. В III группе элементы бор и алюминий, а также металлы подгруппы галлия ( исключение составляет таллий) образуют соединения типа АШВУ. [27]

Условно сложными полупроводниковыми соединениями считают вещества, содержащие три ( или более) различных химических элемента. Физические свойства многих представителей этого класса соединений слабо изучены. [28]

Некоторые полупроводниковые соединения хорошо возгоняются; это позволяет проводить их очистку методом возгонки. Метод обладает рядом достоинств: простота, производительность и более низкие температуры процесса очистки по сравнению с перегонкой. Последнее важно, так как при более низких температурах уменьшается возможность химических реакций между возгоняющимся веществом и тиглем. [29]

Эти полупроводниковые соединения металлов обычно гораздо менее активны, чем сами металлы, и требуют для проведения гидроге-низационных процессов более высоких температур и давлений. Тем не менее благодаря их высокой устойчивости по отношению к обычным ядам, отравляющим металлы ( сернистым соединениям), они представляют интерес для промышленных целей. Однако количественных данных о большинстве таких катализаторов пока еще не хватает. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5