Полупроводниковое соединение

Cтраница 3

Зависимость вязкости расплава Sb. A1 - 1. 1, атом от продолжительности выдержки при температурах, С. [31]

Синтез полупроводниковых соединений сплавлением нелетучих компонентов может быть в отдельных случаях использован и для получения разлагающихся или испаряющихся полупроводниковых соединений. [32]

Положение донорной и акцепторной примесей в кристаллической решетке антимонида индия. а-донорная примесь теллура. б - акцепторная примесь цинка. [33]

Электропроводность полупроводниковых соединений зависит от примесей, входящих в межузлия атомной решетки или в узлы в виде атомов замещения. [34]

Для полупроводниковых соединений наиболее важной термодинамической характеристикой являются, по-видимому, парциальные термодинамические свойства, в особенности давление пара компонентов в зависимости от химического состава фазы в области гомогенности. С помощью этих данных удается решить две важные задачи. [35]

Технология полупроводниковых соединений отличается от технологии элементарных полупроводников наличием операции синтеза. Эта операция заключается в создании самого соединения в результате различного рода химических реакций. [36]

Большинство полупроводниковых соединений не реагирует в процессе плавки ни с одним из перечисленных материалов, и большая часть расплавов не смачивает стенки тиглей. Однако в процессе плавки в расплав могут проникнуть примеси посторонних атомов, главным образом из материала тигля. Чтобы избежать этого, предпринимают дополнительные меры предосторожности. Главное, что резко снижает проникновение примесей в расплав, - это высокая степень чистоты материала тигля. [37]

Процессы при возникновении эффекта Пельтье. [38]

Использование полупроводниковых соединений, аналогичных тем, которые применяются для изготовления термогенераторов, позволило создавать высокоэффективные холодильные полупроводниковые элементы. [39]

Один из способов бестигельного выращивания кристаллов из расплава.| Схема прибора для выращивания кристаллов халькогенидов кадмия. [40]

Кристаллы полупроводниковых соединений получают из особо чистых компонентов сплавлением и последующей кристаллизацией из расплава. Температурные условия получения диктуются диаграммами состояния систем. Во многих случаях приходится применять двухтем-пературные печи. [41]

Большинство кристаллических полупроводниковых соединений можно рассматривать как преимущественно ковалентные соединения, в которых из-за разности валентностей и злектроотрица-тельностей установление направленных ковалентных связей достигается в результате появления избыточных зарядов ( по отношению к нейтральному состоянию) на атомах компонентов. Величина этих эффективных зарядов может быть определена экспериментально, например путем изучения полос оптического поглощения на колебаниях решетки. Значения эффективных зарядов иногда используют, чтобы характеризовать долю ионной связи в преимущественно ковалентных кристаллах. [42]

Кристаллическая структура соединений.| Валентные состояния атомов А111 Ву. [43]

Из других полупроводниковых соединений в полупроводниковой технологии используют карбид кремния, диоксид меди. [44]

Уменьшение ширины запрещенной зоны в вырожденном полупроводнике. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5