Полупроводниковое соединение - тип
Cтраница 1
Полупроводниковые соединения типа AU1BV отличаются от моноатомных полупроводников в первую очередь тем, что в химической связи атомов, составляющих их решетку, имеется некоторая доля ионной связи. Поэтому в явлениях переноса может играть значительную роль рассеяние электронов оптическими фононами. Это отличие делает задачу интерпретации явлений переноса в Аш Bv чрезвычайно сложной. [1]
Полупроводниковые соединения типа AUBVI - HgS, HgSe, HgTe, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, как правило, имеют несколько модификаций. Основными из них являются структуры сфалерита и вюрт-цита. [2]
 |
Основные физические свойства соединений типа AII. BV. [3] |
Полупроводниковые соединения типа AIUBV - GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb имеют структуру цинковой обманки. Получают эти соединения или из расплава, который содержит элементы в равных атомных концентрациях, или из раствора соединения, имеющего в избытке элемент III группы, а также из газовой фазы. Кристаллы антимонидов и арсенидов галлия и индия обычно выращивают из расплава стехиометрического состава. [4]
Полупроводниковые соединения типа AnBIVC широко исследуются в связи с кристаллохимической и электронной аналогией между ними и полупроводниками типа АП1ВУ и некоторыми специфическими особенностями их свойств. На фоне общих для AinBv и AnBIVC основных свойств открываются все новые и новые интересные особенности тройных соединений этого типа. Кристаллохимическими особенностями соединений типа АПВ1УС является наличие высокотемпературных превращений. [5]
Полупроводниковые соединения типа AIUBV ( InSb, InAs, GaAs, GaSb) имеют структуру цинковой обманки. В этих кристаллах и кристаллах типа алмаза ( Si, Ge, a - Sn) зоны Бриллюэна имеют одинаковую структуру. [6]
Рассматриваемые ниже полупроводниковые соединения типа АщВу имеют смешанный характер связи ( ковалентно-ионный) с сильным преобладанием ковалентного характера. Ряд солей свинца, обладающих полупроводниковыми свойствами ( PbS, PbSe, РЬТе), имеют также смешанный характер связей. Однако ионный характер связей выражен у этих полупроводников значительно сильнее, чем у соединений АщВу - Ряд авторов относит сульфиды, селениды и теллуриды к полупроводникам с преобладающим ионным характером связей. [7]
 |
Структура цинковой обманки в проекции на плоскость, перпендикулярную кристаллографической плоскости ( III. [8] |
Травление полупроводниковых соединений типа АП1ВУ во многом подобно травлению элементарных полупроводников германия и кремния. Поскольку соединения типа AHIBV состоят из разнородных атомов, связи между атомами, хотя и ковалентны, электронная плотность смещена в направлении атомов В ( см. гл. IV), а потому эти соединения по-лярны. В направлениях 111 и 100 чередуются слои атомов А и В и поэтому между плоскостями 111 и ГП имеются различия. Предположим, что плоскость 111 выходит на поверхность атомами В, а Ш атомами А. [9]
Среди полупроводниковых соединений типа AIVBVI наиболее изученными являются халькогениды свинца: PbS, PbSe, PbTe. Сульфид, селенид и теллурид свинца в естественном состоянии встречаются в виде минералов галенита, клаусталита и алтаита. [10]
Результаты анализов полупроводниковых соединений типа GeSe2 и GeSe3Zn подтверждают приведенные формулы. [11]
Химико-механическую полировку полупроводниковых соединений типа AIHBV с использованием суспензий различного состава ( см. табл. 10) проводят с удельным давлением полировального круга ( 1 4 - 3 0) - 10 3 МПа и скоростью его вращения 40 - 100 об / мин, и расходом суспензии 50 - 60 капель / мин. [12]
Энергия ионизации собственных атомов полупроводниковых соединений типа AllIBv лежит в интервале 0 18 эв для InSb и до 1 8 эв для AlSb. Эта важная характеристика полупроводника определяет рабочую температуру изготовленного из него прибора. Чем выше энергия ионизации полупроводника, тем при более высокой температуре может работать прибор из этого материала. Так, если верхний температурный предел работы прибора для германия составляет примерно 80 С при его энергии ионизации, равной 0 75 эв, то для кремния с энергией ионизации, равной 1 12 эв, верхний температурный предел составляет уже 200 С. Для AlSb верхний температурный предел находится выше 300 С. [13]
Энергия ионизации собственных атомов полупроводниковых соединений типа AmBv лежит в интервале 0 18 эв для InSb и до 1 8 эв для AlSb. Эта важная характеристика полупроводника определяет рабочую температуру изготовленного из него прибора. Чем выше энергия ионизации полупроводника, тем при более высокой температуре может работать прибор из этого материала. Для AlSb верхний температурный предел находится выше 300 С. [14]
При выращивании монокристаллов разлагающихся полупроводниковых соединений типа арсенидов и фосфидов элементов III группы, когда процесс проводится в герметичной и термостатированной при высокой температуре аппаратуре, для легирования из газовой фазы могут успешно использоваться легирующие примеси в элементарном состоянии. В этом случае высокая температура стенок рабочей ампулы обеспечивает достаточно высокую упругость паров легирующей примеси в рабочем пространстве, а следовательно, и в кристалле. [15]
Страницы: 1 2 3 4