Полупроводниковое соединение - тип
Cтраница 2
Проведено сравнение пульсполярографического метода анализа полупроводниковых соединений типа А В и их компонентов с химико-спектральным методом анализа, являющимся в настоящее время основным методом производственного анализа-в полупроводниковой промышленности. [16]
Полезно сопоставить некоторые свойства описанных выше полупроводниковых соединений типа A111 Bv. [17]
 |
Схема установки для получения эпи таксиальных слоев кремния силановым методом. [18] |
Метод близкого переноса применяют при осаждении полупроводниковых соединений типа AniBv с использованием в качестве транспортера хлористого водорода или водяного пара. [19]
 |
Зависимость ширины запрещенной зоны соединений A1UBV от суммарного атомного номера компонентов. [20] |
Исключительно важны пниктогениды элементов подгруппы галлия самые важные полупроводниковые соединения типа A111 Bv, Висмут такие соединения не образует. Желтый нитрид галлия получается при пропускании аммиака над нагретым до 1000 С галлием, а также в результате разложения ( NH4) JGaFJ в атмосфере аммиака. Нитрид индия получен аналогичным образом из ( NH4) JInF jl при более низкой температуре. Остальные пниктогениды получают прямым синтезом из компонентов. [21]
Антимонид индия ( InSb) является представителем полупроводниковых соединений типа АшВу, обладающих сходными электрическими свойствами с кремнием, германием и серым оловом. Коэффициенты диффузии были нами измерены в этом соединении для 3 элементов - In, Sb и Те, в температурном интервале 300 - 500 С. [22]
Одной из наиболее важных донорных примесей в полупроводниковых соединениях типа AniBv, в частности InAs, является теллур. В связи с этим исследование диаграммы состояния In - As - Те представляет интерес для практики легирования арсенида индия. [23]
Особые легирующие примеси необходимы для получения высококачественных тонких пленок монокристаллов полупроводниковых соединений типа AIHBV, AnBVI и др. К ним относятся метилаты и этилаты цинка, кадмия, магния, бериллия, олова, теллура, гидриды германия, кремния, селена и некоторые другие соединения. Они имеют большие перспективы в развитии микроэлектроники микроволнового диапазона, оптоэлектроники и лазерной техники. [24]
В развитие работ по синтезу и исследованию тройны -: полупроводниковых соединений типа Аа В з6 и А1В3С26 [ 1, 2 мы предприняли попытку получить их с участием редкоземельных элементов ( р.з.э.) - церия и лантана. [25]
Поэтому для получения эпитаксиальных слоев трех -, четырехкомпонентных твердых растворов полупроводниковых соединений типа AIIIBV расплав охлаждают в небольших ( менее 10 С) интервалах температуры, позволяющих поддерживать относительное постоянство коэффициентов распределения компонентов. Для уменьшения градиента концентрации в слое толщина его должна быть большой, что требует увеличения толщины слоя расплава. Состав исходного расплава подбирают так, чтобы в ходе охлаждения отношение компонентов твердого раствора в нем сохранялось постоянным. [26]
Кроме кремния и германия, для изготовления туннельных диодов применяется несколько полупроводниковых соединений типа АщВу. [27]
В последнее время все больший интерес представляет для исследователей изучение физико-химических свойств полупроводниковых соединений типа А ВУ1 ( А: - Си, Ag; BVI-S, Se, Те) и сплавов между ними, вызванный перспективностью использования этих материалов в полупроводниковой электронике, а также в качестве термо - и фотопреобразователей энергии. Особое место в изучении физико-химических свойств этих соединений принадлежит термодинамическим исследованиям, которые важны при подходе к разработке и совер-шествованию технологических процессов синтеза и выращивания кристаллов, а также представляют интерес для выяснения физико-химической природы полупроводниковых материалов. Настоящая работа посвящена изучению термодинамических свойств соединений А В 1 и некоторых сплавов между ними, а также выяснению взаимосвязи их с некоторыми характеристиками межатомной связи, полученными по результатам исследования теплового расширения. [28]
Явление самокомпенсации, которое пока еще недостаточно изучено и понято, препятствует созданию р-я-переходов в полупроводниковых соединениях типа А В при использовании обычных способов легирования электрически активными примесями. В связи с этим ведется разработка технологии получения новых материалов типа Cdj - rZn Te, ZnSej-Де. Cd Mg / Te, которые могут иметь как п -, так и р-тип проводимости, а также изыскиваются эффективные инжектирующие переходы, отличающиеся от типичных р-дг-переходов. [29]
Таким образом, исследование поведения свинца и теллура методом хронопотенциометрии показывает возможность аналитического использования этого метода для определения состава полупроводниковых соединений типа АцВуг. [30]
Страницы: 1 2 3 4