Полупроводниковое соединение - тип
Cтраница 3
 |
Теплопроводность непрерывных твердых растворов металлов.| Теплопроводность непрерывных твердых растворов металлов при разных температурах. [31] |
На рис. 6 - 10 - 6 - 13 результаты расчета сопоставлены с экспериментальными данными о теплопроводности непрерывных твердых растворов полупроводниковых соединений типа АрВд - BpCq и окислов. Во всем диапазоне изменения концентраций компонент наблюдается качественное и количественное совпадение расчетных и опытных значений. Систематических отклонений не обнаружено. [32]
В книге не затронуты вопросы, подробно рассмотренные в специальной литературе: получение сверхчистых металлов, германия и кремния, полупроводниковых соединений типа AnTBv и AnBVI, 5шсокочистых газов, органических соединений и разделения изотопов. [33]
Легко показать непосредственной проверкой, что неравенство ( 7) хорошо выполняется практически при любых сочетаниях параметров в германии и кремнии, но нарушается в компенсированных слоях полупроводниковых соединений типа SiC и GaP вследствие низкой подвижности и малого времени жизни носителей в этих соединениях и высокого значения удельного сопротивления материала в районе перехода. Поэтому возможность применения диффузионной теории к данным полупроводникам должна быть проанализирована дополнительно. [34]
В качестве базового материала для анализа физико-химических процессов выбран кремний, который, по прогнозам специалистов, будет оставаться ведущим материалом в полупроводниковом производстве в ближайшие 15 - 20 лет, и ряд других материалов, полупроводниковые соединения типа A BV и твердые растворы на их основе, германий, карбид кремния. [35]
Удаление основного элемента из водного раствора в виде газообразного соединения путем химической обработки ( часто в ходе растворения пробы) в качестве метода концентрирования занимает важное место в области анализа высокочистых полупроводниковых материалов: германия, кремния, а также некоторых полупроводниковых соединений типа AniBv. В табл. 35 приведены характерные примеры и некоторые условия удаления основного вещества пробы из водного раствора при анализе чистых материалов. [36]
 |
Модель строения поверхностного слоя соединений AHI BV. [37] |
Этот вывод подтверждается экспериментально. Травление полупроводниковых соединений типа А1ПВУ в смесях плавиковой и азотной кислот, в растворах различных окислителей ( Н2О2, Fe3, Ce4 и др.) показало, что поверхность, оканчивающаяся атомами пятой группы, отличается большей реакционной способностью, чем поверхность атомов третьей группы. Она травится в 10 - 20 раз быстрее, ее электродный потенциал отрицательнее. [38]
 |
Энергетич. диаграмма для ПП р-типа электропроводности. Д - Еа-энергия иони-связи зачпи акцепторных примесей. АУ - акцепторный уровень.| График температурной зависимости уд. сопротивле. [39] |
ПП вводятся донорные примеси, обычно хим. элементы, валентность к-рых на единицу выше валентности основного ПП. Для полупроводниковых соединений типа A li BV ( GaAs, InSb и др.) донорами служат Те, Se, S - элементы 6 - й группы. Когда он замещает в кристаллич. [40]
ПП вводятся донорные примеси, обычно хим. элементы, валентность к-рых на единицу выше валентности основного ПП. Для полупроводниковых соединений типа A 1 BV ( GaAs, InSb и др.) донорами служат Те, Se, S - элементы 6 - й группы. Когда он замещает в кристаллич. [41]
Эти соединения изоэлектронны простым веществам, образованным элементами IV группы ( например, Si, Ge) и обладают полупроводниковыми свойствами. В большинстве полупроводниковых соединений типа AIUBV атомы находятся в тетраэдрической координации друг относительно друга и кристаллизуются в решетке типа сфалерита или вюртцита. Так, GaN, InN и TIN кристаллизуются в решетке типа вюртцита, а МР, MAs, MSb, где MGa, In - в решетке типа сфалерита. Нитриды элементов подгруппы галлия отличаются высокой химической устойчивостью и близки по структуре к алмазу и алмазоподобному BN. Наибольшей химической устойчивостью отличается GaN. Он не взаимодействует с водой, разбавленными и концентрированными кислотами, устойчив при нагревании на воздухе до 1000 С. При комнатной температуре GaN является полупроводником, а при низких температурах обладает сверхпроводимостью. По своей химической устойчивости InN значительно уступает GaN, он легко реагирует с растворами кислот и щелочей, окисляется на воздухе выше 300 С. Теплоты образования GaNTB и InNTB при 25 С соответственно равны 26 4 и 4 2 ккал / моль. [42]
Все кристаллы по типу симметрии делятся на семь кристаллич. Германий, кремний к полупроводниковые соединения типа А1 ВУ имеют кубич. Представление о кристалле как о пространств, решетке, в узлах к-рой находятся атомы, является идеализированным. Различают грубую н тонкую мозаичность кристаллов. Тонкая мозаичность характеризуется размерами блоков порядка 1 мк и меньше и углами дезориентировки блоков в неск. К отклонениям атомов от идеально периодич. ПП технике как исходные материалы, характеризуются высокой степенью очистки от посторонних примесей, относительно большими размерами и высокой степенью совершенства структуры. [43]
Но даже если частная математическая формулировка не оправдана, это не значит, что неверны выдвинутые первоначально идеи. Отметим, что семейство полупроводниковых соединений типа А В8 - ( с восемью s - р-валентными электронами на два атома) представляет собой хороший экспериментальный материал для основательной проверки концепции ионности с количественной стороны. [44]
Стремительное развитие науки и техники предъявляет к полупроводниковым материалам новые, повышенные требования. Элементарные германий и кремний, полупроводниковые соединения типа AIITBV уже не удовлетворяют всем разнообразным и специфическим потребностям. В настоящее время ведутся поиски новых, более эффективных полупроводниковых материалов с широким диапазоном изменения электрических, оптических и других свойств. [45]
Страницы: 1 2 3 4