Полупроводниковое соединение - тип
Cтраница 4
К этой кристаллической структуре относятся большинство полупроводниковых соединений типа AniBv; GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP, InSb. Расположение атомов такое же, как в решетке алмаза, отличие заключается в чередовании атомов двух сортов. Обе решетки служат примером неплотно упакованных структур. [47]
Из всех разнообразных соединений Ga самое наибольшее практическое значение имеют полупроводниковые соединения типа A. Из них в промышленных масштабах производят арсенид, фосфид и в меньшей степени анти-монид. Для получения полупроводниковых соединений в качестве исходных материалов используют галлий и другие компоненты высшей степени чистоты. Особенно тщательно очищают от тех примесей, которые с трудом удаляются при последующей кристаллофизической очистке соединений. В случае, например, арсенида галлия такими примесями являются сера и селен. Применяются также все меры для предотвращения загрязнения в процессе синтеза и очистки. [48]
Исследования в этом направлении для полупроводниковых соединений находятся практически на начальном этапе. Необходимо отметить, что для алмазоподобных полупроводниковых соединений типа AmBv и А В рассмотренная общая картина микродефектообразования с участием СТД вряд ли претерпевает принципиальные изменения. Однако надо иметь в виду, что в таких материалах, из-за наличия двух кристаллических под-решеток, существенно расширяется номенклатура присутствующих в кристаллах СТД, что, несомненно, усложняет процессы взаимодействия индивидуальных дефектов. В частности, в этих материалах возможны процессы рекомбинации с участием СТД из разных подрешеток с образованием антиструктурных дефектов. [49]
Поляризация полупроводниковых кристаллов наблюдается только, если их омическая проводимость не успевает полностью за полупериод изменения внешнего электрич. В полупроводниках типа А Ву и в ионных полупроводниковых соединениях типа PbS, PbSe, PbTc, помимо электронной поляризации, имеется поляризация ионного и атомного смещз-ния. В табл. 4 даны к и я для кристаллов тина AjuBv ( здесь п - показатель преломления у края собств. [50]
 |
Спектр ВИМС высокотемпературного сверхпроводника УВагСизО. - Спектрометр EVA 2000 SIMS, энергия первичных ионов 0 составляла 4кэВ. ( С любезного разрешения д-ра М. Доусетта, Университет. [51] |
Этот эффект называется дифференциальным распылением. Другая причина, почему поверхность и объем могут различаться по составу, может быть связана с тем, что сегрегация ( либо к поверхности, либо от нее) одного из сортов атомов происходит с более высокой скоростью, чем у других атомов. Этот фактор можно свести к минимуму, если найти такой эталон, который имеет состав, очень близкий к составу исследуемого образца. Примером такого рода является поверхностный анализ с помощью ВИМС полупроводниковых соединений типа III-V. Здесь в качестве стандарта берется стехиометрический кристалл бинарного соединения, такого как, например, GaAs. Эта плоскость поровну заполнена атомами Ga и As. Бели неизвестный образец имеет состав, отличающийся от состава стехиометрического соединения всего на несколько атомных процентов, то количественный анализ с уверенностью определит это. [52]
Страницы: 1 2 3 4