Сопротивление - канал
Cтраница 1
 |
Структурная схема трехкаскадного автогенератора ( а и каскад единичного усиления ( б. [1] |
Сопротивление канала г Си возрастает, если напряжение затвора изи становится более отрицательным. [2]
Сопротивление канала может широко изменяться в зависимости от типа и режима транзистора. [3]
Сопротивление каналов должно быть подобрано так, чтобы при данной величине амплитуды колебания демпфер поглощал максимальную энергию. [4]
Сопротивление каналов насоса протеканию жидкости не следует связывать каким-либо образом с потерями напора; более правильно связывать его с площадью эффективного отверстия, определяющего количество протекающей жидкости. [5]
Сопротивление канала связи постоянному току в устройствах ВРТ не должно превышать 2 000 ом, а для устройства УТБ должно быть при линейном реле поляризованного типа не более 4 000 ом. [6]
 |
Вольт-фарадные характеристики МДП-структуры.| К объяснению работы МОП-транзистора. [7] |
Однако сопротивление канала определяется только напряжением на затворе лишь при небольших напряжениях на стоке. [8]
Зависимость сопротивления канала от напряжения на стоке Ua, нарушает линейность сопротивления, однако при малом уровне сигнала этой зависимостью можно пренебречь. Таким образом, основное применение полевых транзисторов в линейной области определяется их способностью изменять сопротивление при изменении напряжения на затворе. [9]
Силу сопротивления канала считаем такой же, как в течении Пуазейля для несжимаемой жидкости постоянной вязкости. Продольными вязкими напряжениями в магме пренебрегаем по сравнению с силой сопротивления канала. Массооб-мен между магмой и растущим пузырьком происходит равновесно, то есть диффузионной задержкой газоотделения пренебрегаем. Проницаемость магмы определяется объемной долей пузырьков. Зависимость коэффициента фильтрации берется в форме [14, 18], полученной из обработки результатов экспериментов с холодными образцами магмы. Инерционными членами в уравнениях импульса для жидкой и газовой фаз пренебрегаем по сравнению с силами сопротивления. [10]
 |
Характеристики МДП транзистора со встроенным каналом. [11] |
Зависимость сопротивления канала от напряжения на затворе может иметь линейный или экспоненциальный характер. Амплитуда переменного напряжения, при которой обеспечиваются достаточно малые нелинейные искажения как правило, приближается к половине граничного напряжения стока. Поэтому для работы в качестве резисторов используются транзисторы с большими гра-ничыми напряжениями. Амплитуда переменного напряжения при использовании полевых транзисторов с управляющим р-п переходом ограничивается условием отпирания перехода сток-затвор. Это напряжение не должно превышать 0 5 В. [12]
Гкан - сопротивление канала; гдр - сопротивление вы-сокоомной стоковой - области; г, гс - сопротивление истока и стока; глок - сопротивление, вносимое неравномерным распределением тока стока по структуре; г - сопротивление низкоомной области стока; гмет - сопротивление металлизации истока и корпуса транзистора. [13]
Так как сопротивление канала RK не равно нулю, потенциалы его различных поперечных сечений оказываются неодинаковыми и обратное напряжение на р-п переходе возрастает в направлении к стоку. [14]
 |
Инвертор с трехста-бильным выходом, в котором дополнительно используется управление по истокам.| Двунаправленный ключ для коммутации аналоговых сигналов. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5