Сопротивление - канал
Cтраница 4
 |
Тарировочные кривые. [46] |
Как можно видеть, при вращении сопротивление каналов увеличивается значительно. [47]
 |
Электрическая схема дистанционного глу. [48] |
Зная эталонное сопротивление, нетрудно определить сопротивление канала связи. После этого к измерительной схеме подключают чувствительный элемент Лд датчика температуры. [49]
Добнер следующим образом объясняет увеличение коэффициента сопротивления канала и повышение критических чисел Рейнольдса при вращении. [50]
Уменьшение напряжения на затворе вызывает уменьшение сопротивления канала и возрастание тока / с. [51]
Увеличение вязкости, а также возра-тание сопротивления каналов при уменьшении их сечения снижает давление внутри полости формы. [52]
Следует специально оговориться, что изменение сопротивления канала в каждом его сечении происходит постепенно, по мере прохождения по каналу молнии заряда в течение всей лидерной стадии и всей стадии нейтрализации, а не скачком по мере распространения фронта волны нейтрализации, как это часто полагают. Далее, поскольку наибольшее сопротивление имеет часть канала, примыкающая к земле, и ток через эту часть канала наибольший, то наибольшая продольная напряженность поля имеет место на этой части канала. [53]
 |
Осциллограммы импульсов разрядного тока при различных межэлектродных промежутках. [54] |
Уменьшение межэлектродного промежутка приводит к снижению квазистационарного сопротивления плазменного канала. Активное сопротивление контура уменьшается, и разряд переходит в колебательный. С увеличением частоты выход измельчаемого продукта на один разряд несколько уменьшается. [55]
Уменьшение искрового промежутка приводит к снижению квазистационарного сопротивления канала разряда. Активное сопротивление контура уменьшается, и разряд переходит в колебательный. Энергия, запасенная в конденсаторе, выделяется в канале порциями с малой амплитудой. Крутизна фронта импульсов падает, а длительность растет, при этом эффективность процесса измельчения уменьшается. [56]
 |
Схема включения полевого транзистора. [57] |
Этот ток определяется напряжением стока и сопротивлением канала, зависящим от его сечения. [58]
 |
Распределение электростатического потенциала ср вдоль оси канала СИТ. [59] |
Если напряжение на затворе отсутствует, то сопротивление канала минимально ( СИТ нормально открытый транзистор) и с ростом напряжения [ / си ток стока увеличивается, но ограничения / с не наступает. Количественные параметры малый затвор, короткий канал - приводят к качественному изменению физических процессов в канале СИТ по сравнению с ПТУП с горизонтальным каналом. Фактически в СИТ влияние напряжения стока на канал противоположно этому влиянию в ПТУП: с ростом Vсл напряженность тормозящего поля у истока уменьшается, соответственно снижается потенциальный барьер Дф для электронов в канале. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5