Cтраница 5
![]() |
К анализу процесса разряда нагрузочной емкости инвертора. [61] |
Из рассмотрения статических состояний известно, что сопротивление канала проводящего транзистора Та должно быть много ( раз в 20 - 30) меньше, чем сопротивление канала транзистора Тя. Поэтому можно считать, что течение процесса определяется главным образом транзистором Та и принять схему замещения инвертора в виде, показанном на рис. 9.7, а. [62]
Положительный пространственный заряд в слое диэлектрика модулирует сопротивление канала полевого транзистора и меняет все его характеристики. Этот заряд не постоянен, а очень медленно изменяется во времени. [63]
С / Си приводит к соответствующему росту сопротивления канала, а ток прибора остается практически постоянным. [64]
Сравнивая коэффициенты сопротивления волнистых каналах с коэффициентом сопротивления гладких каналов, можно уверенно сказать, что потеря напора на продвижение жидкости в волнистых каналах значительно превосходит потери напора в гладких каналах при одинаковых скоростях течения жидкости. Главными преимуществами волнистых каналов перед гладкими является жесткость пластины изгибу при высоких давлениях жидкости и выигрыш в длине за счет рифлености. [65]