Сопротивление - канал
Cтраница 3
Кроме рассмотренного способа управления сопротивлением канала, возможен и другой способ, когда сопротивление канала меняется при изменении потенциала электрода, изолированного от объема полупроводника. Транзисторы, работа которых основана на этом принципе, называются полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МДП-транзисторами. [31]
В этой схеме R - сопротивление канала, зависящее от напряжения на затворе. Так как процессы появления или исчезновения проводящего канала протекают очень быстро, то сопротивление можно считать безынерционным. [32]
Поэтому основным фактором, определяющим сопротивление канала, состоящего главным образом из местных сопротивлений, является не тормозящее действие стенок, а вязкость жидкости. [33]
 |
Обозначения полевых транзисторов с каналами п - и. [34] |
Работа ПТ основана на изменении сопротивления канала за счет изменения толщины слоев пространственного заряда р-п-переходов канал-затвор 5 и канал-подложка 2 под действием изменения напряжения на затворе. [35]
В большинстве случаев постоянная составляющая сопротивления канала может быть учтена соответствующим уменьшением сопротивления R. Тогда погрешность ключа определяется изменением сопротивления канала с изменением уровня входного сигнала. [36]
Эти причины приводят к увеличению сопротивления канала, однако оно растет не пропорционально увеличению напряжения t / си, а медленнее. [37]
Уровень и, определяется соотношением сопротивлений каналов проводящих транзисторов, что влечет за собой недостатки, аналогичные недостаткам схемы с нелинейной нагрузкой. [38]
 |
Физическая эквивалентная схема полевого транзистора.| Физическая эквивалентная схема с распределенными параметрами. [39] |
Генератор тока, включенный параллельно сопротивлению канала, отражает усилительные свойства транзистора. [40]
Давление на входе рассчитывается по сопротивлению каналов. [41]
 |
Физическая эквивалентная схема полевого транзистора.| Физическая эквивалентная схема с распределенными параметрами полевого транзистора. [42] |
Генератор тока, включенный параллельно сопротивлению канала отражает усилительные свойства транзистора. [43]
 |
Физическая эквивалентная схема нолевого транзистора.| Физическая эквива - лентная схема с распределенными параметрами полевого транзистора. [44] |
Генератор тока, включенный параллельно сопротивлению канала, отражает усилительные свойства транзистора. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5