Сопротивление - кристалл
Cтраница 1
Сопротивление кристаллов KNb03 резко меняется в зависимости от условий выращивания. В работе [57] проводились измерения температурной зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемое. Зависимость In о от 1 / Т в ромбической фазе линейна, а в тетрагональной фазе линейность нарушается. [1]
 |
Кристаллическое твердые вещества.| Молекулы S8 и спиралевидная структура аморфной серы. [2] |
Сопротивление кристаллов попыткам их разрушения свидетельствует о том, что их решетке присуща определенная энергия связи. В ионных кристаллах эта энергия может быть объяснена наличием уже рассмотренных выше сил трех различных типов - кулоновских, вандерваальсовых и сил отталкивания между частицами, обусловленных взаимодействием электронных оболочек ионов. Следовательно, должно существовать такое равновесное расстояние ( г0), на котором ионы в кристаллической решетке находятся в состоянии наибольшей устойчивости. Энергия кристаллической решетки по существу представляет собой понижение потенциальной энергии ионов, возникающее, когда они сближаются до равновесного положения относительно друг друга. Эта энергия численно равна, но противоположна по знаку энергии, необходимой для полной диссоциации кристалла на составляющие его ионы. [3]
Сопротивление кристалла PbS при температуре 20 С равно 104 ом. [4]
Исследованию сопротивления кристаллов почти идеального естественного графита посвящены многочисленные работы. Определение сопротивления вдоль с-оси оказалось не столь простым, так как его величина во много раз выше величины сопротивления в направлении, перпендикулярном оси с; это обстоятельство объясняется, по-видимому, тем, что различные несовершенства кристаллитов накоротко замыкают участки с высоким сопротивлением. [5]
Вместе с тем сопротивление кристалла арсенида галлия GaAs с концентрацией электронов 3 1015 см-3 при температуре жидкого гелия под действием поля 20 кэ возрастает в 2 раза, а при 30 кэ магнетосопротивление возрастает в 7 раз. Зависимость мапнетосопротивления от магнитного поля уже не квадратичная, а экспоненциальная; никакой тенденции к насыщению не обнаруживается. При еще более сильных полях сопротивление возрастает во много тысяч раз. [6]
 |
Механические характеристики идеальных и реальных кристаллов. [7] |
Дислокации оказывают на сопротивление кристалла деформации двоякое влияние - при малых плотностях они ослабляют кристалл, при больших - упрочняют, поскольку в этом случае затрудняется их перемещение. [8]
Измерения температурной зависимости сопротивления кристаллов электронного и дырочного германия с примесью железа указывают, что железо обусловливает примесные уровни, лежащие на 0: 34 4 - 0 02 эв выше валентной зоны и на 0 27 0 02 эв ниже зоны проводимости. При 77 К сопротивление таких образцов очень велико. При той же температуре электронные образцы обладают высокой фоточувс. [9]
 |
Схема включения одно-переходного транзистора в режиме релаксационного генератора.| Распределение потенциала в базе. [10] |
Очевидно, что Ri R2 сопротивление кристалла между базовыми контактами, а f / бб напряжение между ними. [11]
 |
Входная вольт-амперная характеристика одиопереходного транзистора ( / - характеристика при отключенной базе. [12] |
Очевидно, что Rt / сопротивление кристалла между базовыми контактами, a EQ напряжение между ними. [13]
Это обусловлено тем, что сопротивление кристаллов графита с повышением температуры возрастает, но в то же время улучшается контакт между ними. Суммарный эффект в большинстве случаев проявляется в фор ме уменьшения электрического сопротивления. [14]
 |
Схематическое изображение упругой и пластической деформации. а, в - упругая и б, г - пластическая деформация кристалла при чистом сдвиге.| Сдвиг атомных плоскостей. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5