Сопротивление - кристалл
Cтраница 4
 |
Кварцевый генератор высокой стабильности.| Мостовая схема колебательного четырехполюсника. [46] |
Схема, удовлетворяющая более высоким требованиям, дана на рис. 18 - 55 ( схема Г е г-нера. Здесь кварц работает как последовательный резонансный контур и возбуждается точно на своей собственной частоте. Чтобы получить полную остроту резонанса, сопротивления R должны: быть очень малы, меньше, чем сопротивление кристалла; так, в нашем примере должно быть R С 9 ом. Тогда параллельные кварцу емкости лампы не играют уже никакой роли. Настраиваемый контур в аноде лампы должен иметь по возможности малую емкость и приглушен настолько сильно, насколько это позволяет необходимая величина обратной связи. [47]
Например, Акамату и Инокухи [1] сообщают, что при давлениях выше 80 кг / см2 сопротивление не зависит от давления. То, что применение больших давлений ( но ниже сверхдавлений) не понижает сопротивления, указывает на то, что прессование служит только для удаления пустот. Разумеется, понятно, что хотя образцы спрессовывались при высоком давлении, измеренное сопротивление не должно быть идентичным сопротивлению кристаллов. [48]
Так как с ростом степени пластического деформирования число дислокаций в кристалле увеличивается, то увеличивается и число препятствий, возникающих в местах пересечения дислокаций. Поэтому рост степени деформации сопровождается упрочнением кристалла. Подобное же действие оказывают и атомы примеси: вызывая местные искажения решетки, они затрудняют перемещение дислокаций и тем самым увеличивают сопротивление кристалла сдвигу. Особенно сильное тормозящее действие оказывают границы блоков, границы зерен и обособленные включения, содержащиеся в решетке. Они резко увеличивают сопротивление перемещению дислокаций и для своего преодоления требуют более высоких напряжений. [49]
Особенно памятен мне один день сентября 1 983 года, когда после долгих и безуспешных попыток обнаружить органическую сверхпроводимость, мы, наконец, получили кристаллы, поведение сопротивления которых при охлаждении не показало каких-либо признаков диэлектризации, столь характерной для большинства органических металлов, известных в то время. Был конец рабочего дня, все находившиеся в лаборатории сгрудились за спиной Саши Зварыкиной, которая по точкам измеряла температурную зависимость сопротивления кристалла. [50]
Когда эллипсоиды равной энергии расположены не на осях ( 100) ( которые можно принять в качестве осей координат), а на других осях симметрии, таких, как, например, ( 111), то для каждого из таких эллипсоидов получается тензор проводимости с отличными от нуля недиагональными компонентами. Однако при усреднении по всем эквивалентным минимумам недиагональные компоненты тензора проводимости исчезают и все диагональные компоненты совпадают между собой, так что тензор электропроводности по-прежнему вырождается в скаляр. В дальнейшем мы увидим, что это заключение справедливо лишь в случае кристаллов с кубической симметрией, не подверженных действию внешних магнитных полей; действительно, в присутствии магнитного поля сопротивление кристалла становится анизотропным даже в кубическом кристалле. [51]
При изучении кристаллов алмаза, полученных из шихты, содержащей As, установлено, что влияние этой примеси на полупроводниковые свойства образцов устойчиво проявляется только при одновременном присутствии в шихте Ti и технологических добавок, обеспечивающих скорость роста кристаллов не более 1 7 - 10 - 3 м / с. Очевидно, такие условия, при которых формируются практически безазотные кристаллы ( см. гл. На образцах с большим сопротивлением определить тип проводимости известными способами ие удается. На температурных зависимостях сопротивления кристаллов n - типа проводимости имеются пологие участки, соответствующие энергии активации 0 008 - 0 03 эВ в низкотемпературной области и 0 25 - 0 58 эВ в высокотемпературной, что также можно объяснить наличием примесной зоны. [52]
Наиболее существенное влияние на электрофизические характеристики алмаза оказывает примесь бора. Кристаллы, легированные бором, обладают р-типом проводимости, и их сопротивление в зависимости от условий роста может изменяться в широких пределах. При изучении морфологии было установлено, что бор в отличие от азота интенсивнее захватывается пирамидами роста граней октаэдра, чем куба. Поэтому интерес представляет выяснение степени анизотропии сопротивления кристаллов, легированных бором. [53]
Температурный коэффициент электрического сопротивления монокристалла графита положительный, как у большинства металлов. У блоков и порошков при не слишком высоких температурах он имеет отрицательное значение. При дальнейшем повышении температуры он становится положительным. Это обусловлено сложением двух факторов, действующих в противоположных направлениях: с одной стороны, сопротивление кристаллов графита с повышением температуры увеличивается, с другой - улучшается контакт между ними. [54]
Модели, полученные на основе аппроксимации статической в.а.х. диода, не учитывают ряда особенностей, вытекающих из физических принципов его работы, в частности установления конечных значений прямого и обратного сопротивлений прибора. Если в схеме рис. 3.4, a диод был выключен, то после подачи отпирающего напряжения статическое значение напряжения ( 7пр установится лишь в том случае, когда в базовом кристалле диода концентрация неосновных носителей примет равновесное значение, соответствующее заданному уровню прямого тока i E / R. Если тд - время жизни неосновных носителей заряда при их диффузии, то в течение времени установления прямого сопротивления / Уп Зтд асимптотически изменяется значение прямого сопротивления диода. В момент появления скачка отпирающего напряжения, когда базовый кристалл еще не насыщен избыточными неосновными носителями, прошедшими через p - n - переход, сопротивление кристалла велико и напряжение на диоде превышает установившийся уровень С / пр. По мере насыщения базового кристалла неосновными носителями заряда сопротивление диода уменьшается и соответственно уменьшается напряжение ыак. [55]
Один из основных видов электрического пробоя полупроводников, так называемый лавинный, по своей физической природе близок к пробою в газах. Под действием приложенного к полупроводниковому кристаллу сильного электрического поля электроны и дырки могут приобрести энергию, достаточную для ионизации нейтральных атомов кристалла. Если новые электрон или дырка, родившиеся в результате акта ударной ионизации, успеют ускориться до выхода из области сильного поля и произвести еще одну пару носителей тока, процесс рождения электронно-дырочных пар приобретает лавинный характер, концентрация носителей в кристалле быстро возрастает во времени, сопротивление кристалла резко упадет - произойдет лавинный пробой. [56]
При изучении кристаллов алмаза, полученных из шихты, содержащей As, установлено, что влияние этой примеси на полупроводниковые свойства образцов устойчиво проявляется только при одновременном присутствии в шихте Ti и технологических добавок, обеспечивающих скорость роста кристаллов не более 1 7 - 10 - 3 м / с. Очевидно, такие условия, при которых формируются практически безазотные кристаллы ( см. гл. Образованию в них электрически активных дефектов с участием атомов мышьяка. На образцах с большим сопротивлением определить тип проводимости известными способами ие удается. На температурных зависимостях сопротивления кристаллов n - типа проводимости имеются пологие участки, соответствующие энергии активации 0 008 - 0 03 эВ в низкотемпературной области и 0 25 - 0 58 эВ в высокотемпературной, что также можно объяснить наличием примесной зоны. [57]
В кристаллической решетке расстояния между атомами в различных направлениях не одинаковы. Такая особенность кристаллических тел называется анизотропностью. Опыты показывают, например, что предел прочности образцов, вырезанных из кристалла меди в разных направлениях, меняется более чем в два раза. При обработке металлов давлением важно знать величину сопротивления кристаллов сдвигу. [58]
Любое вещество имеет определенный показатель преломления луча света, падающего на это вещество под углом к поверхности. Показатель преломления определяется скоростью распространения света в данной среде. Вещества аморфной структуры - стекло или жидкости, например вода, обладают постоянным показателем преломления независимо от того, в каком направлении проходит луч света. Показатель преломления их - также величина постоянная. Однако кристаллы других форм, например игольчатые, характеризуются наличием двух показателей преломления, и луч света, проходя через кристалл, разделяется на два луча, распространяющиеся в кристалле с различной скоростью. Оптическое сопротивление кристалла различно в различных направлениях: в одном направлении оно больше, в другом - меньше. [59]
Скольжение, начавшееся в какой-либо плоскости кристалла, распространяется на некоторое ограниченное расстояние, например несколько сот периодов решетки, а затем прекращается - заклинивается. Тогда дальнейшее увеличение напряжения может привести только к разрушению кристалла. Явление возрастания сопротивления кристалла пластической деформации по мере увеличения деформации называется упрочнением. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5