Сопротивление - кристалл - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Сумасшествие наследственно. Оно передается вам от ваших детей. Законы Мерфи (еще...)

Сопротивление - кристалл

Cтраница 2


Модули упругости Е и G характеризуют сопротивление кристалла его упругой деформации при растяжении и сдвиге.  [16]

После компенсации этих низко лежащих уровней сопротивление кристалла при низких температурах сильно возрастало ( фиг. Образцы все же оставались дырочными, и результаты явно указывают на то, что марганец дает акцепторные уровни на расстоянии 0 16 эв от валентной зоны.  [17]

Таким образом, дефекты решетки оказывают на сопротивление кристалла деформации двоякое влияние. Способствуя образованию дислокаций, они ослабляют кристалл. С другой стороны, они упрочняют его, так как препятствуют свободному перемещению дислокаций. Это позволяет представить влияние количества дефектов на прочность кристалла U-образной кривой, показанной на рис. 1.40. Некоторой плотности дислокаций р0 соответствует минимальное сопротивление кристалла деформации. Уменьшение р по сравнению с РО приводит к повышению прочности, так как приближает структуру к идеальной.  [18]

Поверхностная энергия кристаллов находится в прямой связи также с сопротивлением кристаллов истиранию. Энергия, сообщенная кристаллу в форме механической работы, затрачивается не только на теплоту и работу пластической деформации, но и на работу образования поверхности раздела.  [19]

20 Схема прохождения линейной дислокации через препятствие. [20]

Из всего сказанного следует, что дефекты решетки оказывают на сопротивление кристалла деформации двоякое влияние: способствуя образованию дислокаций, они ослабляют кристалл; а препятствуя свободному перемещению дислокаций, упрочняют его.  [21]

Из особенностей проводимости в примесной даже наибольший интерес вызывает отрицательное магнетосопротнвление - уменьшение сопротивления кристалла в магнитном поле.  [22]

Экстраполяция зависимости W ( T), приводящая к выводу, что W0 при низких температурах, неправомерна ввиду значительной по сравнению с входным сопротивлением применяемого электрометра величиной сопротивления кристалла. Подтверждением возможности существования напряжения при температурах С 180 может служить наличие теплового эффекта при низких температурах.  [23]

24 Изменение твердости стали 45 в зависимости от степени деформации. [24]

Сопротивление изнашиванию поршневых пальцев, изготовленных из легированных сталей, при повышении температуры увеличивается по сравнению с мартенситными сталями в результате большей температурной устойчивости субструктуры и меньшей скорости падения сопротивления кристаллов пластическим деформациям.  [25]

Схема простого кварцевого генератора, показанная на фиг. Если сопротивление кристалла мало по сравнению с сопротивлением эмиттера, его Q может чрезмерно понизиться; если же его сопротивление очень велико, то вследствие затухания, связанного с имеющимся отношением сопротивления кристалла к полному входному сопротивлению эмиттера, требуется чрезмерно высокое усиление по напряжению от эмиттера к коллектору. Тогда высокое полное сопротивление коллекторной нагрузки приводит к схеме с плохой стабильностью частоты. Схема в основном применяется при работе с гармоникой кристалла, который, если обеспечена дополнительная избирательность, работает на основной частоте. Схемы такого типа показаны на фиг.  [26]

Проблема определения примесей бора в кремнеземе возникает при выращивании монокристаллов кремния в тиглях из кремнезема. В этом случае сопротивление кристалла зависит от типа используемого тигля. Обычно считают, что при-меси бора, попадающие в кремний из тигля, являются причиной низкого сопротивления.  [27]

Неупругие силы первого типа обусловлены дискретностью структуры кристалла и атомным характером ядра дислокации. Эти силы определяют сопротивление кристалла перемещению дислокации. Сила торможения зависит от вида дислокации, от модели ядра дислокации и от наличия различных примесей в кристалле.  [28]

Вольтамиорная характеристика типичного образца при разных температурах показана на фиг. При изменении полярности сопротивление кристалла обычно уменьшалось ( благодаря инжекции), но иногда увеличивалось, если напаянный контакт был настолько хорошим, что могла произойти эксклюзия. Были изготовлены отдельные образцы с сильно легированными областями на обоих концах, причем получались симметричные кривые.  [29]

Это явление слагается из двух эффектов, влияющих в противоположных направлениях. С одной стороны, сопротивление кристаллов графита с повышением температуры увеличивается, с другой - улучшаются контакты между зернами. Суммарный эффект в большинстве случаев состоит в уменьшении сопротивления.  [30]



Страницы:      1    2    3    4    5