Сопротивление - кристалл
Cтраница 3
 |
Влияние ТИХ на величину относительной пластической деформации е в металле шва. [31] |
Некоторое влияние на величину ТИХ оказывает и сопротивление кристаллов сдвиговым деформациям. [32]
При малых прямых токах, когда почти все внешнее напряжение приложено к р-п-пере-ходу, температурный коэффициент тока положителен. При больших прямых токах основную роль играет сопротивление кристалла диода. Поэтому при больших прямых токах с увеличением температуры падение напряжения на диоде возрастает. Нижний предел рабочей температуры германиевых диодов ( - 60 С) обусловлен хрупкостью индия. [33]
Схема на двух транзисторах, представленная на фиг. Генератор хорошо работает на звуковых частотах, когда сопротивление кристалла очень велико, но при этом схема страдает от паразитивных колебаний, несмотря на то, что кристалл шунтируется емкостью. На радиочастотах, когда сопротивление кристалла лежит в пределах 10 - 1000 ом, его добротность Q из-за RL2 значительно понизится. Если RLz уменьшается, R должно увеличиваться, чтобы получить достаточное усиление и повысить фазовую нестабильность между каскадами. Кроме того, комплексное полное сопротивление в цепи базы транзистора Т1 оказывает нежелательное действие. Если при этом база связана с эмиттером очень низким сопротивлением, то усиление остальной части системы должно увеличиться. Даже если можно было бы создать систему, в достаточной степени уменьшающую разброс параметров контуров, фазовые сдвиги на самих используемых транзисторах складываются, а их влияние удваивается при изменении окружающих и рабочих условий. [34]
 |
Конструкция мощного германиевого диода ВГВ-1000. [35] |
При прямых малых токах, когда почти все внешнее напряжение приложено к р-п-пере-ходу, температурный коэффициент тока положителен. При больших прямых токах основную роль может играть сопротивление кристалла диода. В рабочем интервале температур с ростом температуры подвижность электронов и дырок убывает. [36]
Представим себе, что напряжение между базой Б и эмиттером Э равно нулю и в схеме действует только напряжение Ек. Поскольку последнее приложено к кристаллу в непроводящем направлении, сопротивление кристалла между коллектором и базой будет весьма большим и ток 1К в цепи коллектора и нагрузки RH, являющийся выходным током усилителя, будет незначительным по величине, даже если напряжение Ек имеет порядок десятков или сотен вольт. Если между базой и эмиттером приложено напряжение проводящей полярности, то даже при весьма небольшой величине последнего ( доли вольта) между эмиттером и базой должен возникнуть ток / э, который в данной схеме служит входным током усилителя. Но так как одновременно с входным напряжением действует и напряжение Ек, излучаемый эмиттером внутрь полупроводника поток зарядов - электронов или дырок - попадает по пути к базе в гораздо более интенсивное электрическое поле между коллектором и базой и увлекается к коллектору. [37]
На рис. 3.11 показано влияние количества дефектов на прочность кристалла. Точка pi соответствует такой плотности дислокаций, при которой сопротивление кристалла деформациям минимально. Увеличение числа дефектов вызывает повышение прочности вследствие увеличения сопротивления перемещению дислокаций. Применяющиеся в настоящее время методы ( упрочнения ( наклеп, легирование, теплообработ-ка) соответствуют правой пологой ветви кривой. [38]
По мере увеличения внешнего напряжения толщина запирающего слоя стремится к нулю, а его удельное сопротивление уменьшается до величины, близкой к величине удельного сопротивления соприкасающихся полупроводников. Через кристалл течет так называемый прямой ток, значение которого определяется сопротивлением кристалла при отсутствии запирающего слоя, сопротивлением внешней цепи и приложенным напряжением. Прямой ток обусловлен главным образом встречным движением основных носителей, так как концентрация и число переходов неосновных носителей очень малы. [39]
 |
Графики температурных зависимостей сопротивления кристаллов, легированных бором. [40] |
Следовательно, кинетика и механизм процессов захвата-примесей бора и азота во многом сходны. Это находит подтверждение в снижении до 2 - 3 порядков степени анизотропии сопротивления кристаллов, росших в среде с массовым содержанием В 3 - 0 5 %, а также в самом факте образование В-N - комплексов в алмазе. [41]
Схема простого кварцевого генератора, показанная на фиг. Если сопротивление кристалла мало по сравнению с сопротивлением эмиттера, его Q может чрезмерно понизиться; если же его сопротивление очень велико, то вследствие затухания, связанного с имеющимся отношением сопротивления кристалла к полному входному сопротивлению эмиттера, требуется чрезмерно высокое усиление по напряжению от эмиттера к коллектору. Тогда высокое полное сопротивление коллекторной нагрузки приводит к схеме с плохой стабильностью частоты. Схема в основном применяется при работе с гармоникой кристалла, который, если обеспечена дополнительная избирательность, работает на основной частоте. Схемы такого типа показаны на фиг. [42]
Схема на двух транзисторах, представленная на фиг. Генератор хорошо работает на звуковых частотах, когда сопротивление кристалла очень велико, но при этом схема страдает от паразитивных колебаний, несмотря на то, что кристалл шунтируется емкостью. На радиочастотах, когда сопротивление кристалла лежит в пределах 10 - 1000 ом, его добротность Q из-за RL2 значительно понизится. Если RLz уменьшается, R должно увеличиваться, чтобы получить достаточное усиление и повысить фазовую нестабильность между каскадами. Кроме того, комплексное полное сопротивление в цепи базы транзистора Т1 оказывает нежелательное действие. Если при этом база связана с эмиттером очень низким сопротивлением, то усиление остальной части системы должно увеличиться. Даже если можно было бы создать систему, в достаточной степени уменьшающую разброс параметров контуров, фазовые сдвиги на самих используемых транзисторах складываются, а их влияние удваивается при изменении окружающих и рабочих условий. [43]
Каждый квант энергии / zv освобождает один электрон. Поэтому при неизменной интенсивности поглощаемого света / сила первичного тока z j, пропорциональная числу освобождаемых в 1 сек. Вторичный ток возникает благодаря частичному разрушению кристаллической решетки при прохождении первичного тока, приводящему к уменьшению сопротивления кристалла. Экспериментальное изучение зависимости вторичного тока от времени показывает, что сила вторичного тока возрастает пропорционально промежутку времени, прошедшему с момента начала первичного тока, и лишь через некоторое время достигает насыщения. [44]
Вольт-амперную характеристику кремниевого вентиля можно рассматривать состоящей из трех областей ( рис. 23): области насыщения, в которой ток, проходящий через вентиль, очень мал и практически не зависит от напряжения в широком диапазоне величин смещающих напряжений, и областей пробоя в прямом и обратном направлениях, в которых ток через вентиль нарастает очень быстро при повышении соответственно положительного или отрицательного напряжений. Характеристики всех трех областей меняются с изменением температуры: ток насыщения растет с повышением температуры, в то время как падение напряжения, соответствующее прямому току, уменьшается. Это объясняется тем, что температурный коэффициент запирающего напряжения имеет отрицательные значения, а температурный коэффициент сопротивления кристалла, напротив - положительные. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5