Сопротивление - насыщение
Cтраница 1
Сопротивление насыщения, как уже говорилось, представляет собой отношение напряжения насыщения к току, на котором определено это напряжение. В большинстве случаев при этом оказывается что это падение достаточно близко к минимально возможному, а его отношение к коллекторному току близко к сопротивлению насыщения транзистора. [1]
Сопротивление насыщения psh в обоих направлениях, по-видимому, практически одинаковое. [2]
Сопротивление насыщения RH - котангенс угла наклона к оси абсцисс начального участка выходной характеристики транзистора. [3]
 |
Концентрация тока в коллекторной области, вызванная оттеснением эмиттерного тока к краю эмиттера. [4] |
Оценка сопротивления насыщения, в которой за эффективное сечение тока в коллекторной области берется площадь эмиттера, дает завышенный результат, а если считать, что коллекторный ток распределен равномерно по всему сечению коллекторного перехода, то результат будет занижен. [5]
 |
Структура кремниевого сплавно-диффузионного транзистора с глубоко вплавленным эмиттером. Пунктиром показана область прохождения тока в теле коллектора при наличии эффекта оттеснения. [6] |
Задача снижения сопротивления насыщения в кремниевых сплавно-диффузионных транзисторах значительно сложнее. Как отмечалось в § 5 - 2, конструкция этих приборов обычно предусматривает специальные углубления в пластине кремния, играющие роль кассеты для электродного сплава при проведении процесса сплавления-диффузии. Поэтому если ток в транзисторе оттесняется к краю эмиттера, ему приходится проходить в высокоомном коллекторе довольно большой путь. В связи с технологическими трудностями площадь и периметр эмиттера в кремниевых сплавно-диффузионных транзисторах не удается довести до такой большой величины, как в германиевых. [7]
Для уменьшения сопротивления насыщения на низкоомную подложку с рм 5 - 10s Ом - м ( 0 005 Ом-см) толщиной 100 - 200 мкм наносится высокоомный эпитаксиальный слой нужного удельного сопротивления толщиной 6 - 10 мкм, в котором и формируется пленарная или меза-транзисторная структура. Обычно для планарных и меза-транзисторов, изготовленных на пластинах с эпитакеиальным слоем, последовательное сопротивление тела коллектора, а следовательно, и падение напряжения на нем, в 3 - 10 раз меньше, чем у транзистора, изготовленного обычным спосо-бом. [8]
Таким образом, сопротивление насыщения в мощных транзисторах определяется несколькими составляющими, среди которых для сплавных приборов надо в первую очередь выделить разность между падениями напряжения на эмиттерном и коллекторном переходах ( которая тем меньше, чем больше величина а / транзистора), а для приборов, изготовленных с помощью двойной диффузии - падение напряжения в высокоом: юм теле коллектора. [9]
 |
Концентрация тока в коллекторной области, вызванная оттеснением эмиттерного тока к краю эмиттера. [10] |
Этот наклон соответствует сопротивлению насыщения для состояния, в котором произошло перераспределение тока. Точный анализ рассматриваемых явлений крайне сложен, потому что, во-первых, недостаточно хорошо известно, как происходит концентрация тока в базе, и, во-вторых, на протекание тока в коллекторе влияют сложным образом такие факторы, как ширина обедненного слоя перехода, наличие электрических полей в коллекторе вблизи перехода и возможность некоторой модуляции проводимости тела коллектора при малых коллекторных напряжениях. [11]
Иногда вводится также величина сопротивления насыщения, равного отношению падения напряжения на триоде в режиме насыщения к току через коллектор. [12]
Величина г оценивалась экспериментально по сопротивлению насыщения при большом токе коллектора. [13]
В шестой главе речь идет о снижении сопротивления насыщения мощных транзисторов. Благодаря разработке транзисторов со сниженной величиной сопротивления насыщения появилась возможность создания устройств на мощных транзисторах с резко увеличенным коэффициентом полезного действия, что позволило значительно расширить диапазон использования современных мощных транзисторов. [14]
 |
Генератор на двух-базовом диоде, выполненный в виде твердой схемы.| Схема триггера.| Схема триггера, разорванная в точках 4 и 2. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5