Сопротивление - насыщение
Cтраница 4
Таким образом, мы можем сказать, что на высоких частотах имеется ряд причин, ограничивающих линейную область выходных характеристик, в том числе и те, которые ограничивают эту область на низких частотах: концентрация тока к краю эмиттера, рост сопротивления насыщения с током и увеличение эффективной ширины базы на больших плотностях тока. [46]
Диффузионную длину неосновных носителей во всех областях структуры необходимо иметь по возможности большой: в эмиттере - для увеличения коэффициента инжекции, в базе - для повышения коэффициента усиления по току2 и в коллекторе ( у транзисторов с высо-коомным телом коллектора) - для модуляции проводимости коллектора с целью снижения сопротивления насыщения. Исключение составляют транзисторы, предназначенные для работы в быстродействующих переключающих схемах, где величины L6 и LK необходимо снижать для уменьшения накопления заряда в областях базы и коллектора. [47]
Сопротивление насыщения Ron при токе базы 1 мА составляет около 30 Ом. [48]
Как видно из рисунка 2, кривая электропроводности платино-палладиевого контакта, полученного из необлученных окислов соответствующих металлов, по форме напоминает соответствующую кривую для платины. Сопротивление насыщения Pt-Pd - контакта из облученных окислов значительного ниже такового для необлученного катализатора. [50]
На рис. 2 а и б показаны входные и выходные вольт-амперные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером. Величина сопротивления насыщения лежит в пределах сотых долей ома. На рис. 3 приведена зависимость статического коэффициента усиления по току в схеме с общим эмиттером Вст от тока коллектора. Предельные параметры транзистора сведены в таблице. [51]
Одной из основных характеристик мощного транзистора является его сопротивление насыщения. Понятие сопротивления насыщения связывают с так называемым напряжением насыщения транзистора. Эта величина представляет собой напряжение, падающее между коллектором и эмиттером открытого транзистора при заданном значении коллекторного тока и достаточно большой степени насыщения ( см. стр. Отношение напряжения насыщения к току, на котором оно определено, называется сопротивлением насыщения транзистора. Понятием сопротивление насыщения пользуются чаще, чем понятием напряжение насыщения, так как в ряде случаев сопротивление насыщения слабо зависит от тока. Благодаря наличию у транзистора не равного нулю сопротивления насыщения, его предельный ток в области малых напряжений зависит от величины приложенного напряжения. Действительно, для каждого значения напряжения коллектора ток в транзисторе не может быть сделан больше, чем отношение этого напряжения к сопротивлению насыщения. [52]
В полученном тонком эпитаксиальном слое изготовляется транзистор способом диффузии. Планарно-эпитаксиальный транзистор имеет сопротивление насыщения коллектора в 4 - 8 раз меньшее, чем обычный пленарный транзистор. [53]
На рисунке 1 представлены кривые зависимости сопротивления катализатора от степени обезводороживания платиновой и палладие-вой черней и тех же катализаторов из облученных окислов. Как видно, сопротивление насыщения облученной Pd-черни ниже, чем обычной. Тот же факт отмечается и для палладиевой черни из облученного образца. [55]
В транзисторах, изготовленных с использованием двойной односторонней диффузии, не удается снизить сопротивление насыщения до таких величин, которые достигаются в сплавных германиевых транзисторах и в кремниевых приборах с диффузионными эмиттером и коллектором. Однако задача снижения сопротивления насыщения этих транзисторов не теряет значения. [56]
Вторая причина, ограничивающая предельный ток мощных сплавно-диффузионных германиевых транзисторов - это их сопротивление насыщения. Конструкция этих приборов такова, что сопротивление насыщения в них не может быть снижено теми методами, которые разработаны для меза-планарных и планарных транзисторов. [57]
Ограничение возможного числа входов зависит от сопротивления насыщения последовательно включенных транзисторов. Величина общего падения напряжения на всех насыщенных последовательно соединенных транзисторах должна быть того же порядка, что и падение напряжения, допустимое на одном транзисторе в параллельной цепи для обеспечения необходимого уменьшения выходного тока до нескольких микроампер. Поскольку при уменьшении напряжения между коллектором и эмиттером в состоянии включено усиление по току падает, то с учетом указанных выше ограничений на базы последовательно соединенных транзисторов необходимо подавать больший ток, чем на базы параллельно включенных транзисторов. Другая задача, связанная с последовательной схемой, состоит в жестких условиях обеспечения насыщения первого и последнего транзисторов в цепочке. В последнем транзисторе, эмиттер которого заземлен, коллекторный ток равен сумме тока питания ( Д) и всех базовых токов других транзисторов цепочки. Следовательно, для получения достаточно низкого напряжения между коллектором и эмиттером последнего транзистора необходимо, чтобы ток его базы был велик. Для того чтобы иметь соответствующее состояние включено, первый транзистор цепочки, коллектор которого подключен к сопротивлению питания Нг, должен иметь высокое напряжение на базе, поскольку напряжение его эмигтера больше нуля на величину, равную сумме напряжений между коллекторами и эмиттерами всех других транзисторов. [58]
В шестой главе речь идет о снижении сопротивления насыщения мощных транзисторов. Благодаря разработке транзисторов со сниженной величиной сопротивления насыщения появилась возможность создания устройств на мощных транзисторах с резко увеличенным коэффициентом полезного действия, что позволило значительно расширить диапазон использования современных мощных транзисторов. [59]
 |
Процесс изготовления и элемент тянутого транзистора. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5