Сопротивление - насыщение
Cтраница 2
Такую схему можно выполнить на микросплавных транзисторах, сопротивления насыщения которых малы. Имеются и некоторые другие пути выполнения схемы без дополнительного питания. [16]
Одной из основных характеристик мощного транзистора является его сопротивление насыщения. Понятие сопротивления насыщения связывают с так называемым напряжением насыщения транзистора. Эта величина представляет собой напряжение, падающее между коллектором и эмиттером открытого транзистора при заданном значении коллекторного тока и достаточно большой степени насыщения ( см. стр. Отношение напряжения насыщения к току, на котором оно определено, называется сопротивлением насыщения транзистора. Понятием сопротивление насыщения пользуются чаще, чем понятием напряжение насыщения, так как в ряде случаев сопротивление насыщения слабо зависит от тока. Благодаря наличию у транзистора не равного нулю сопротивления насыщения, его предельный ток в области малых напряжений зависит от величины приложенного напряжения. Действительно, для каждого значения напряжения коллектора ток в транзисторе не может быть сделан больше, чем отношение этого напряжения к сопротивлению насыщения. [17]
 |
Распределение примесей в транзисторных структурах без встречной диффузии ( а, со встречной диффузией ( б и с эпитаксиальным коллектором ( в. [18] |
Применение метода встречной диффузии дает выигрыш в величине сопротивления насыщения, или в уменьшении остаточного напряжения на коллекторе в 4 - 8 раз. [19]
Здесь первое слагаемое определяет потери мощности, обусловленные сопротивлением насыщения, второе - потери мощности, обусловленные обратным сопротивлением, и третье - потери мощности во время выключения транзистора при условии, что в это время ток коллектора спадает по линейному закону, а изменение напряжения синусоидально. [20]
 |
Причины, ограничивающие рабочий ток транзистора. [21] |
Чтобы это ограничение не играло особой роли, необходимо сопротивление насыщения по возможности снижать. [22]
Германиевый транзистор МНТ-2101 фирмы Solilron Devices США, имеет сопротивление насыщения менее 4 10 - 4 ом. Он, по-видимому, также изготовлен с помощью сплавления. [23]
Например, при степени насыщения п - р 2 сопротивление насыщения при токе коллектора 150 ма может быть получено по характеристикам рис. 2.2. На этом рисунке ток базы, при котором транзистор не заходит еще в насыщение при / к 150 ма, равен / б 6 ма, а при степени насыщения п 2 ток базы должен быть равен / бн 12 ма. [24]
В этих приборах максимальный ток достигает 150 а, а сопротивление насыщения составляет 0 006 ом. [25]
Рассматриваются параметры канальных транзисторов, влияющие на работу малосигнального модулятора: сопротивление насыщения канала транзистора, сопротивление канала и ток утечки закрытого транзистора. Проводится анализ преобразовательных свойств и погрешностей преобразования модуляторов на канальных транзисторах. Получены основные расчетные формулы. Показана возможность значительного уменьшения мощности входного сигнала преобразователя, с использованием канальных транзисторов, за счет повышения входного сопротивления и чувствительности преобразователей, что весьма существенно для высокочувствительных УПТ с преобразованием сигнала. [26]
Вторая причина, ограничивающая предельный ток мощных сплавно-диффузионных германиевых транзисторов - это их сопротивление насыщения. Конструкция этих приборов такова, что сопротивление насыщения в них не может быть снижено теми методами, которые разработаны для меза-планарных и планарных транзисторов. [27]
В транзисторах, изготовленных с использованием двойной односторонней диффузии, не удается снизить сопротивление насыщения до таких величин, которые достигаются в сплавных германиевых транзисторах и в кремниевых приборах с диффузионными эмиттером и коллектором. Однако задача снижения сопротивления насыщения этих транзисторов не теряет значения. [28]
 |
Работа магнитного насыщающегося элемента. [29] |
V, гк - последовательное эквивалентное сопротивление, равное сумме сопротивления стабилизатора, сопротивления насыщения транзисторов в схеме по рис. 10 - 1, б и 10 - 2, а и динамического сопротивления диодов в схеме по рис. 10 - 2, а; Гн и ге - сопротивления нагрузки генератора и базовых цепей ( приведенные значения); гс - сопротивление потерь в сердечнике МНЭ. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5