Сопротивление - насыщение
Cтраница 3
Площадь транзисторной структуры должна быть достаточно большой с точки зрения уменьшения теплового сопротивления и сопротивления насыщения транзистора. Ее целесообразно увеличивать для получения большой величины предельного рабочего тока. [31]
В транзисторах, изготовленных путем двойной односторонней диффузии, проводимость коллектора сгк Для уменьшения сопротивления насыщения необходимо уменьшать, а для повышения пробивного напряжения - увеличивать. [32]
Рассмотрены вопросы, связанные с повышением допустимой мощности рассеяния, увеличением рабочего тока, снижением сопротивления насыщения, увеличением рабочей частоты и повышением рабочего напряжения мощных транзисторов. [33]
Что касается толщины коллекторного слоя ( в диффузионных транзисторах), то с точки зрения уменьшения сопротивления насыщения и теплового сопротивления ее целесообразно уменьшать, а для увеличения рабочего напряжения ее необходимо увеличивать, правда, до определенных пределов. [34]
 |
Зависимость Л21Э от тока эмиттера. [35] |
Если эти падения напряжения отнести к току, протекающему через коллектор, то полученный параметр называют сопротивлением насыщения. [36]
Если эти падения напряжения отнести к току, проходящему через коллектор, то полученный параметр называют сопротивлением насыщения. [37]
 |
Принципиальная схема сервоусилителя, питаемого переменным напряжением, с мощностью на выходе 6 вт. [38] |
В качестве гкзиас в уравнения ( 18 - 1) и ( 18 - 2) должна подставляться максимальная величина сопротивления насыщения для используемых в усилителе типов транзисторов во всем температурном диапазоне. [39]
Остаточное напряжение может быть определено по току / Кл и сумме объемных сопротивлении гк и гэ областей коллектора и эмиттера и сопротивления насыщения гн. Для сплавных транзисторов г к и гъ пренебрежимо малы, тогда ги гк. Сопротивление гн может быть определено по формуле ( 65) делением правой ее части на / кн с предварительной заменой / сн и кя, их выражениями через соответствующие токи. В ряде случаев в справочном листе дается непосредственно измеренная величина гн. [40]
В результате глубина расположения коллекторного перехода у р-п-р-трамзйсторов оказывается меньшей, а концентрация примеси в коллекторе большей, чем у п-р - - структур; это позволяет выполнить требования по величинам сопротивления насыщения и коэффициенту усиления по току. В р-п-р-етруктурах используют переходы коллектор - база в качестве входных диодов, а переходы эмиттер - база в качестве выходных диодов. [41]
 |
Входная характеристика мощного транзистора. [42] |
На эквивалентной схеме / Ci и / С2 - соответственно транзисторы предвыходного и выходного каскадов, работающие в ключевом режиме; LI - индуктивность первичной обмотки согласующего трансформатора; Ri - полное сопротивление коллекторной цепи предвыходного транзистора, состоящее из сопротивления насыщения предвыходного транзистора, сопротивления первичной обмотки трансформатора и ограничивающего сопротивления; R2 - сопротивление базовой цепи выходного транзистора, приведенное к коллекторной цепи предвыходного каскада. [43]
Индекс с-норма параметра по ТУ для сдаточных испытаний / о6р - обратный ток диода; Unp-прямое напряжение на диоде; т - время восстановления обратного сопротивления; / ко, / - обратный ток коллектора и эмиттера соответственно; RHK - сопротивление насыщения транзистора; В, - статический коэффициент передачи тока; Абст наЧ - изменение статического коэффициента пере-сл дачи тока; С / пр имп-импульсное прямое напряжение; С / вх-входное напряжение. [44]
 |
Семейство линий, соответствующих постоянной величине fT, для мощного высокочастотного транзистора BFY44 [ Л. 7 - 13 ]. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5