Сопротивление - переход
Cтраница 1
 |
Точечный контакт в виде полусферы радиуса а.| Различные формы р-слоя после электрической формовки. [1] |
Сопротивление перехода в прямом направлении определяется в основном этим сопротивлением. Если диффузионная длина полупроводника сравнима с толщиной пластинки, то действительное сопротивление будет несколько меньше вследствие уменьшения р за счет инжекции носителей тока. [2]
 |
Транзисторные синхронные детекторы. [3] |
Сопротивление перехода коллектор - эмиттер транзистора составляет несколько ом, так как транзистор работает в режиме насыщения. В запирающие полупериоды, когда к базе приложено положительное напряжение, сопротивление транзистора резко возрастает, достигая величины 0 5 МОм и более. Таким образом, транзистор в данной схеме эквивалентен контакту, закорачивающему цепь сигнала с частотой опорного напряжения. [4]
 |
Схематическое изображение транзистора. а р - а - р типа. б п - р - п тиаа.| Распределение токов и. [5] |
Сопротивление перехода в данном случае очень мало, и величина тока через него определяется соответствующей частью переменного сопротивления R. К коллекторному переходу транзистора подключена батарея Бк в обратном направлении, при этом обратный коллекторный ток чрезвычайно мал, так как обратное сопротивление перехода велико. Рассмотренный способ подключения источников питания является характерным для транзисторных схем, так как коллекторное напряжение всегда имеет обратную, а эмиттерное напряжение - прямую полярность. [6]
Сопротивление перехода может быть таким образом определено. [7]
Сопротивление перехода, следовательно, зависит только от плотностей токов обмена. [8]
Сопротивление р-п перехода в этом случае оказывается ничтожно малым, и обратный ток ограничивается только постоянными сопротивлениями базы диода и нагрузки. Это происходит до тех пор, пока концентрация неосновных носителей возле р-п перехода не достигнет значения равновесной концентрации. Но затем через р-п переход будут проходить неосновные избыточные носители, находившиеся от него на большем расстоянии. В некоторый момент времени, когда накопленный заряд, а вместе с ним и диффузионная емкость, исчезают, восстанавливается обычное значение обратного тока / Обр, характерное для статического режима работы диода. [9]
 |
Распределение инжектированных дырок в базе транзистора. [10] |
Сопротивление переходов транзистора при нормальной работе выше, чем сопротивление объема, поэтому напряжение батареи смещения оказывается приложенным главным образом к переходам и электрическое поле в базе транзистора невелико. [11]
Сопротивление р-п перехода изменяется также в зависимости от уровня постоянной облученности фотодиода. [12]
Если сопротивление перехода rs не соответствует (2.26), как, например, у некоторых кремниевых транзисторов. [13]
Поскольку сопротивление перехода значительно выше, чем сопротивление однородных областей полупроводника, то внешнее напряжение почти полностью приложено к р - - переходу. Дырки смещаются к плюсу, а электроны - к минусу внешнего источника напряжения. Размеры запирающего слоя увеличиваются, сопротивление р-л-перехода также увеличивается. Направление результирующего тока противоположно направлению прямого тока, поэтому его называют обратным током. Напряжение, вызывающее обратный ток, называется обратным напряжением. [14]
 |
Обратное включение еимметрич - ЖСНИЯ Д ( р фк - f - КцОр. Дырки. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5