Сопротивление - переход
Cтраница 2
Поскольку сопротивление перехода значительно выше, чем сопротивление однородных областей полупроводника, то внешнее напряжение почти полностью приложено к р-п переходу. [16]
 |
Эквивалентная схема диода. [17] |
Величина сопротивления перехода не остается постоянной на разных частотах. [18]
Зависимость сопротивления переходов полупроводниковых диодов и транзисторов от температуры позволяет применять их в качестве датчиков температуры. Из-за нелинейности вольт-амперной характеристики диодов для измерения температуры используют характеристику изменения напряжения на диоде в зависимости от температуры ( рис. 132, а) при постоянном значении тока, протекающего в прямом направлении. [19]
 |
Строение р - л-перехода и диаграммы потенциальной энергии W. [20] |
При этом сопротивление перехода очень мало и ток, протекающий через него, велик. Таким образом, р - л-переход представляет собой вентиль, пропускающий ток в прямом направлении и не пропускающий его в обратном направлении. [21]
 |
Принципиальная схема таймера. [22] |
При этом сопротивление перехода затвор - исток имеет малую величину, и конденсатор С4 своей левой ( по схеме) обкладкой через этот переход подключен к плюсу источника питания. Правая обкладка конденсатора С4 через открытый транзистор Т2 подключена к минусу источника. В таком состоянии одновибратор может находиться сколь угодно долго. Для перевода его во второе ( неустойчивое) состояние необходимо кратковременно запереть какой-либо из транзисторов, например закоротить базу Т2 на эмиттер. [23]
При этом сопротивление перехода уменьшается, в цепи анод - катод возникает прямой ток / щ, создаваемый основными носителями зарядов полупроводников. [24]
 |
Объяснение механизма тока в электронно-дырочном переходе. [25] |
Итак, сопротивление р-п перехода зависит от направления тока: при полярности, обеспечивающей движение основных носителей через границу, сопротивление мало и убывает с ростом напряжения; при обратной же полярности сопротивление велико и незначительно зависит от приложенного напряжения. Такое свойство р-п перехода обеспечивает возможности создания различных технических устройств и в первую очередь выпрямителей. Выпрямители, создаваемые на основе кристаллов германия или кремния, будем называть полупроводниковыми ( кристаллическими) диодами. Следует отметить, что в действительности процессы в р-п переходе более сложны; мы изложили их лишь в упрощенном представлении. [26]
Так как сопротивление перехода УЭ-К обычно составляет 25 - 40 Ом для тиристоров на / пр 100 - 300 А, то напряжение на выходе устройства управления должно быть не более 8 - 12 В. [27]
Так как сопротивление перехода УЭ - К обычно составляет 25 - 40 Ом для тиристоров на 1ан - 100i - 300 А, то напряжение на выходе устройства управления должно быть не более 8 - 12 В. Это свойство тиристоров позволяет применять для систем управления маломощные полупроводниковые приборы, малогабаритные резисторы и конденсаторы. [28]
Поскольку величина сопротивления перехода не зависит от коэффициента перехода, а определяется только плотностью токообмена и валентностью перехода [5,15], скорость нарастания тока в замкнутом электрическом контуре будет зависеть от концентрации носителей тока и токообмена в валентной зоне и зоне проводимости. Роль внешнего поля сводится лишь к сообщению скорости образованным на поверхности индикаторного электрода отрицательным ионам. [29]
Вследствие нелинейности сопротивления перехода эмиттер-база зависимость тока в нагрузке in от управляющего напряжения еу имеет нелинейный характер. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5